单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Infineon TechnologiesTexas Instruments
系列
NexFET™OptiMOS™ 6
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
30 V40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
20A（Ta）24A（Ta），40A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.4 毫欧 @ 20A，10V7.3 毫欧 @ 10A，10V10.2 毫欧 @ 8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.9V @ 250µA2.3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
15 nC @ 10 V22.2 nC @ 10 V25 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
998 pF @ 15 V1590 pF @ 15 V1800 pF @ 20 V
功率耗散（最大值）
2.5W（Ta），75W（Tc）3.2W（Ta），29W（Tc）3.2W（Ta），37W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
8-VSONP（3x3.3）PG-TSDSON-8-FL
封装/外壳
8-PowerTDFN8-PowerVDFN
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-VSONP
CSD17579Q3A
MOSFET N-CH 30V 20A 8VSON
Texas Instruments
38,511
现货
1 : ¥3.37000
剪切带（CT）
2,500 : ¥1.34437
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
20A（Ta）
4.5V，10V
10.2 毫欧 @ 8A，10V
1.9V @ 250µA
15 nC @ 10 V
±20V
998 pF @ 15 V
-
3.2W（Ta），29W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-VSONP（3x3.3）
8-PowerVDFN
8-VSONP
CSD17578Q3A
MOSFET N-CH 30V 20A 8VSON
Texas Instruments
23,154
现货
1 : ¥5.42000
剪切带（CT）
2,500 : ¥1.82235
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
20A（Ta）
4.5V，10V
7.3 毫欧 @ 10A，10V
1.9V @ 250µA
22.2 nC @ 10 V
±20V
1590 pF @ 15 V
-
3.2W（Ta），37W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-VSONP（3x3.3）
8-PowerVDFN
TSDSON-8
BSZ024N04LS6ATMA1
MOSFET N-CH 40V 24A/40A TSDSON
Infineon Technologies
88,830
现货
1 : ¥10.10000
剪切带（CT）
5,000 : ¥5.06750
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
24A（Ta），40A（Tc）
4.5V，10V
2.4 毫欧 @ 20A，10V
2.3V @ 250µA
25 nC @ 10 V
±20V
1800 pF @ 20 V
-
2.5W（Ta），75W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TSDSON-8-FL
8-PowerTDFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。