单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Diodes IncorporatedInfineon Technologiesonsemi
系列
-Dual Cool™, PowerTrench®HEXFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V25 V30 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
170mA（Ta）3.7A（Ta）12A（Ta）14.5A（Ta），60A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4.5V2.7V，4.5V6V，10V6V，20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
7.5 毫欧 @ 14.5A，10V11 毫欧 @ 12A，20V65 毫欧 @ 3.7A，4.5V10 欧姆 @ 200mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.2V @ 250µA1.5V @ 250µA3V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.35 nC @ 4.5 V12 nC @ 5 V39 nC @ 10 V44 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
-8V±12V±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
27.2 pF @ 10 V633 pF @ 10 V2600 pF @ 15 V3135 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
330mW1.3W（Ta）3.1W（Ta）3.2W（Ta），125W（Tc）
供应商器件封装
8-PQFN（5x6）8-SOICMicro3™/SOT-23SOT-23-3
封装/外壳
8-PowerTDFN8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
IRLML6402TRPBF
MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23
Infineon Technologies
151,106
现货
1 : ¥4.60000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.03881
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
3.7A（Ta）
2.5V，4.5V
65 毫欧 @ 3.7A，4.5V
1.2V @ 250µA
12 nC @ 5 V
±12V
633 pF @ 10 V
-
1.3W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
20,402
现货
1 : ¥5.58000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.12689
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
12A（Ta）
6V，20V
11 毫欧 @ 12A，20V
3V @ 250µA
39 nC @ 10 V
±25V
2600 pF @ 15 V
-
3.1W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8-PQFN TOP
FDMS86101DC
MOSFET N-CH 100V 14.5A DLCOOL56
onsemi
5,621
现货
1 : ¥34.40000
剪切带（CT）
3,000 : ¥16.74332
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
14.5A（Ta），60A（Tc）
6V，10V
7.5 毫欧 @ 14.5A，10V
4V @ 250µA
44 nC @ 10 V
±20V
3135 pF @ 50 V
-
3.2W（Ta），125W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-PQFN（5x6）
8-PowerTDFN
SOT-23-3
DMG302PU-7
MOSFET P-CH 25V 170MA SOT23-3
Diodes Incorporated
14,436
现货
417,000
工厂
1 : ¥4.68000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.95190
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
25 V
170mA（Ta）
2.7V，4.5V
10 欧姆 @ 200mA，4.5V
1.5V @ 250µA
0.35 nC @ 4.5 V
-8V
27.2 pF @ 10 V
-
330mW
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。