单 FET,MOSFET
结果 : 4
系列
包装
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
功率耗散(最大值)
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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比较 | 制造商零件编号 | 现有数量 | 价格 | 系列 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 漏源电压(Vdss) | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | Vgs(最大值) | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | FET 功能 | 功率耗散(最大值) | 工作温度 | 安装类型 | 供应商器件封装 | 封装/外壳 |
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905 现货 | 1 : ¥101.56000 剪切带(CT) 800 : ¥70.09563 卷带(TR) | 卷带(TR) 剪切带(CT) Digi-Reel® 得捷定制卷带 | 在售 | N 通道 | GaNFET(氮化镓) | 600 V | 31A(Tc) | - | - | 1,6V @ 2,6mA | - | -10V | 380 pF @ 400 V | - | 125W(Tc) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装型 | PG-DSO-20-87 | 20-PowerSOIC(0.433",11.00mm 宽) | |||
240 现货 | 1 : ¥118.63000 管件 | 管件 | 在售 | N 通道 | SiCFET(碳化硅) | 650 V | 47A(Tc) | 18V | 34 毫欧 @ 38.3A,18V | 5.7V @ 11mA | 62 nC @ 18 V | +23V,-5V | 2131 pF @ 400 V | - | 189W(Tc) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 通孔 | PG-TO247-3-41 | TO-247-3 | |||
2,854 现货 | 1 : ¥42.53000 剪切带(CT) 1,000 : ¥21.96894 卷带(TR) | 卷带(TR) 剪切带(CT) Digi-Reel® 得捷定制卷带 | 在售 | N 通道 | MOSFET(金属氧化物) | 650 V | 24A(Tc) | 10V | 95 毫欧 @ 11.8A,10V | 4V @ 590µA | 45 nC @ 10 V | ±20V | 2140 pF @ 400 V | - | 128W(Tc) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装型 | PG-TO263-3 | TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB | |||
3,441 现货 | 1 : ¥26.76000 剪切带(CT) 2,000 : ¥13.01558 卷带(TR) | 卷带(TR) 剪切带(CT) Digi-Reel® 得捷定制卷带 | 在售 | N 通道 | MOSFET(金属氧化物) | 600 V | 19A(Tc) | 10V | 145 毫欧 @ 6A,10V | 4.5V @ 300µA | 28 nC @ 10 V | ±20V | 1199 pF @ 400 V | - | 116W(Tc) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装型 | PG-HSOF-8-2 | 8-PowerSFN |
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