单 FET,MOSFET

结果 : 4
系列
CoolGaN™CoolMOS™ C7CoolMOS™ CFD7CoolSIC™ M1
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)管件
技术
GaNFET(氮化镓)MOSFET(金属氧化物)SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss)
600 V650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
19A(Tc)24A(Tc)31A(Tc)47A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V18V-
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
34 毫欧 @ 38.3A,18V95 毫欧 @ 11.8A,10V145 毫欧 @ 6A,10V-
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1,6V @ 2,6mA4V @ 590µA4.5V @ 300µA5.7V @ 11mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
28 nC @ 10 V45 nC @ 10 V62 nC @ 18 V
Vgs(最大值)
-10V±20V+23V,-5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
380 pF @ 400 V1199 pF @ 400 V2131 pF @ 400 V2140 pF @ 400 V
功率耗散(最大值)
116W(Tc)125W(Tc)128W(Tc)189W(Tc)
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
PG-DSO-20-87PG-HSOF-8-2PG-TO247-3-41PG-TO263-3
封装/外壳
8-PowerSFN20-PowerSOIC(0.433",11.00mm 宽)TO-247-3TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果

显示
/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
905
现货
1 : ¥101.56000
剪切带(CT)
800 : ¥70.09563
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET(氮化镓)
600 V
31A(Tc)
-
-
1,6V @ 2,6mA
-
-10V
380 pF @ 400 V
-
125W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-DSO-20-87
20-PowerSOIC(0.433",11.00mm 宽)
TO-247-3 AC EP
IMW65R027M1HXKSA1
MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
Infineon Technologies
240
现货
1 : ¥118.63000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
650 V
47A(Tc)
18V
34 毫欧 @ 38.3A,18V
5.7V @ 11mA
62 nC @ 18 V
+23V,-5V
2131 pF @ 400 V
-
189W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
PG-TO247-3-41
TO-247-3
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB65R095C7ATMA2
MOSFET N-CH 650V 24A TO263-3
Infineon Technologies
2,854
现货
1 : ¥42.53000
剪切带(CT)
1,000 : ¥21.96894
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
24A(Tc)
10V
95 毫欧 @ 11.8A,10V
4V @ 590µA
45 nC @ 10 V
±20V
2140 pF @ 400 V
-
128W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TOLLLEADLESS
IPT60R145CFD7XTMA1
MOSFET N-CH 600V 19A 8HSOF
Infineon Technologies
3,441
现货
1 : ¥26.76000
剪切带(CT)
2,000 : ¥13.01558
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
19A(Tc)
10V
145 毫欧 @ 6A,10V
4.5V @ 300µA
28 nC @ 10 V
±20V
1199 pF @ 400 V
-
116W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-HSOF-8-2
8-PowerSFN
显示
/ 4

单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。