单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Vishay Siliconix
系列
-TrenchFET® Gen IV
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V55 V200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.1A（Ta）5.3A（Ta），17.2A（Tc）47.9A（Ta），195A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4.5V4.5V，10V7.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.7 毫欧 @ 20A，10V50 毫欧 @ 10A，10V160 毫欧 @ 2.1A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 250µA2.5V @ 250µA3.1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
3.3 nC @ 4.5 V19.5 nC @ 10 V260 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V+16V，-20V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
300 pF @ 25 V1110 pF @ 100 V10955 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
1.25W（Ta）6.35W（Ta），104W（Tc）-
工作温度
-55°C ~ 125°C-55°C ~ 150°C（TJ）
供应商器件封装
PowerPAK® SO-8SOT-23-3
封装/外壳
3-SMD，SOT-23-3 变式PowerPAK® SO-8
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
AO3422
MOSFET N-CH 55V 2.1A SOT23-3
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
1,017,245
现货
1 : ¥3.20000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.86945
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
55 V
2.1A（Ta）
2.5V，4.5V
160 毫欧 @ 2.1A，4.5V
2V @ 250µA
3.3 nC @ 4.5 V
±12V
300 pF @ 25 V
-
1.25W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
3-SMD，SOT-23-3 变式
PowerPAK SO-8
SIRA99DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 47.9A/195A PPAK
Vishay Siliconix
6,401
现货
1 : ¥21.67000
剪切带（CT）
3,000 : ¥9.75448
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
47.9A（Ta），195A（Tc）
4.5V，10V
1.7 毫欧 @ 20A，10V
2.5V @ 250µA
260 nC @ 10 V
+16V，-20V
10955 pF @ 15 V
-
6.35W（Ta），104W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPAK SO-8
SI7172ADP-T1-RE3
MOSFET N-CH 200V PPAK SO-8
Vishay Siliconix
9,000
现货
1 : ¥9.52000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.92749
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
5.3A（Ta），17.2A（Tc）
7.5V，10V
50 毫欧 @ 10A，10V
3.1V @ 250µA
19.5 nC @ 10 V
±20V
1110 pF @ 100 V
-
-
-55°C ~ 125°C
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。