单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
onsemiVishay Siliconix
系列
TrenchFET®UniFET™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.5A（Tc）52A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
49 毫欧 @ 26A，10V88 毫欧 @ 3.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3V @ 250µA5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
6.2 nC @ 4.5 V63 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
340 pF @ 15 V2900 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
1.1W（Ta），1.8W（Tc）357W（Tc）
供应商器件封装
SOT-23-3（TO-236）TO-263（D2PAK）
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
SI2307CDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3
Vishay Siliconix
84,736
现货
1 : ¥4.02000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.34537
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
3.5A（Tc）
4.5V，10V
88 毫欧 @ 3.5A，10V
3V @ 250µA
6.2 nC @ 4.5 V
±20V
340 pF @ 15 V
-
1.1W（Ta），1.8W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-263
FDB52N20TM
MOSFET N-CH 200V 52A D2PAK
onsemi
126
现货
1 : ¥20.61000
剪切带（CT）
800 : ¥11.54863
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
52A（Tc）
10V
49 毫欧 @ 26A，10V
5V @ 250µA
63 nC @ 10 V
±30V
2900 pF @ 25 V
-
357W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。