单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Infineon TechnologiesVishay Siliconix
系列
OptiMOS™TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
漏源电压（Vdss）
100 V250 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
19.7A（Tc）64A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
6V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
10 毫欧 @ 15A，10V20 毫欧 @ 64A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.3V @ 250µA4V @ 270µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
69 nC @ 10 V86 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2410 pF @ 50 V7100 pF @ 100 V
功率耗散（最大值）
3.5W（Ta），7.8W（Tc）300W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
8-SOICPG-TO220-3
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）TO-220-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-220-3
IPP200N25N3GXKSA1
MOSFET N-CH 250V 64A TO220-3
Infineon Technologies
5,878
现货
1 : ¥51.48000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
250 V
64A（Tc）
10V
20 毫欧 @ 64A，10V
4V @ 270µA
86 nC @ 10 V
±20V
7100 pF @ 100 V
-
300W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
PG-TO220-3
TO-220-3
8-SOIC
SI4090DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 19.7A 8SO
Vishay Siliconix
0
现货
查看交期
1 : ¥11.74000
剪切带（CT）
2,500 : ¥4.86694
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
19.7A（Tc）
6V，10V
10 毫欧 @ 15A，10V
3.3V @ 250µA
69 nC @ 10 V
±20V
2410 pF @ 50 V
-
3.5W（Ta），7.8W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。