单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
onsemiVishay Siliconix
系列
-QFET®TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
40 V100 V200 V400 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
4.5A（Tc）9A（Tc）29A（Ta），130A（Tc）41A（Ta），235A（Tc）42A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.3 毫欧 @ 50A，10V2.5 毫欧 @ 50A，10V21 毫欧 @ 7.4A，10V280 毫欧 @ 4.5A，10V1 欧姆 @ 2.25A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 250µA2.5V @ 250µA3.5V @ 170µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
20 nC @ 10 V21 nC @ 5 V27 nC @ 10 V50 nC @ 10 V65 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
625 pF @ 25 V979 pF @ 25 V1080 pF @ 25 V3100 pF @ 25 V4300 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
2.5W（Ta），48W（Tc）2.5W（Ta），55W（Tc）3.7W（Ta），83W（Tc）3.8W（Ta），128W（Tc）83W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装，可润湿侧翼表面贴装型
供应商器件封装
5-DFNW（4.9x5.9）（8-SOFL-WF）8-LFPAKPowerPAK® SO-8TO-252AA
封装/外壳
8-PowerTDFN，5 引线PowerPAK® SO-8SOT-1205，8-LFPAK56TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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/ 5
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PowerPak® SO-8
SQJ488EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 100V 42A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
4,134
现货
1 : ¥12.48000
剪切带（CT）
3,000 : ¥5.62881
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
42A（Tc）
4.5V，10V
21 毫欧 @ 7.4A，10V
2.5V @ 250µA
27 nC @ 10 V
±20V
979 pF @ 25 V
-
83W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
TO-252AA
FQD12N20LTM
MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
onsemi
3,795
现货
1 : ¥7.14000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.72240
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
9A（Tc）
5V，10V
280 毫欧 @ 4.5A，10V
2V @ 250µA
21 nC @ 5 V
±20V
1080 pF @ 25 V
-
2.5W（Ta），55W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-252AA
FQD6N40CTM
MOSFET N-CH 400V 4.5A DPAK
onsemi
800
现货
1 : ¥11.00000
剪切带（CT）
2,500 : ¥4.56587
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
400 V
4.5A（Tc）
10V
1 欧姆 @ 2.25A，10V
4V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±30V
625 pF @ 25 V
-
2.5W（Ta），48W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
LFPAK8
NVMJS1D3N04CTWG
MOSFET N-CH 40V 41A/235A 8LFPAK
onsemi
6,000
现货
1 : ¥16.91000
剪切带（CT）
3,000 : ¥7.08096
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
41A（Ta），235A（Tc）
10V
1.3 毫欧 @ 50A，10V
3.5V @ 170µA
65 nC @ 10 V
±20V
4300 pF @ 25 V
-
3.8W（Ta），128W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
8-LFPAK
SOT-1205，8-LFPAK56
8-PowerTDFN, 5 Leads
NVMFS5C442NLWFAFT1G
MOSFET N-CH 40V 29A/130A 5DFN
onsemi
1,195
现货
1 : ¥18.06000
剪切带（CT）
1,500 : ¥8.55560
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
29A（Ta），130A（Tc）
4.5V，10V
2.5 毫欧 @ 50A，10V
2V @ 250µA
50 nC @ 10 V
±20V
3100 pF @ 25 V
-
3.7W（Ta），83W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装，可润湿侧翼
5-DFNW（4.9x5.9）（8-SOFL-WF）
8-PowerTDFN，5 引线
显示
/ 5

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。