单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Diodes IncorporatedInfineon Technologiesonsemi
系列
-HEXFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
50 V60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA（Ta）2.1A（Ta）33A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.75V，5V4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
44 毫欧 @ 16A，10V250 毫欧 @ 1A，10V3.5 欧姆 @ 200mA，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 1mA3V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
2.4 nC @ 10 V9.7 nC @ 10 V71 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
50 pF @ 25 V551 pF @ 30 V1960 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
350mW（Ta）1.8W（Ta），14W（Tc）130W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
SOT-223-3SOT-23-3TO-220AB
封装/外壳
TO-220-3TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-261-4，TO-261AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
BSS138L
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
onsemi
113,767
现货
597,000
工厂
1 : ¥2.87000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.48376
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
200mA（Ta）
2.75V，5V
3.5 欧姆 @ 200mA，5V
1.5V @ 1mA
2.4 nC @ 10 V
±20V
50 pF @ 25 V
-
350mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-220AB PKG
IRF540NPBF
MOSFET N-CH 100V 33A TO220AB
Infineon Technologies
134,853
现货
1 : ¥7.14000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
33A（Tc）
10V
44 毫欧 @ 16A，10V
4V @ 250µA
71 nC @ 10 V
±20V
1960 pF @ 25 V
-
130W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
SOT-223-3
DMP6250SE-13
MOSFET P-CH 60V 2.1A SOT223
Diodes Incorporated
2,037
现货
40,000
工厂
1 : ¥5.66000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.14846
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
2.1A（Ta）
4.5V，10V
250 毫欧 @ 1A，10V
3V @ 250µA
9.7 nC @ 10 V
±20V
551 pF @ 30 V
-
1.8W（Ta），14W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-223-3
TO-261-4，TO-261AA
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。