单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
onsemiRohm Semiconductor
系列
-PowerTrench®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.5A（Ta）35A（Ta），80A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.7 毫欧 @ 35A，10V125 毫欧 @ 1.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 1mA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
5.6 nC @ 10 V185 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
182 pF @ 15 V7900 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
500mW（Ta）3W（Ta），35W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
8-HSOPSOT-23-3
封装/外壳
8-PowerTDFNTO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
FDN358P
MOSFET P-CH 30V 1.5A SUPERSOT3
onsemi
10,611
现货
1 : ¥4.02000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.35027
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
1.5A（Ta）
4.5V，10V
125 毫欧 @ 1.5A，10V
3V @ 250µA
5.6 nC @ 10 V
±20V
182 pF @ 15 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
HP8KE6TB1
RS1E350BNTB1
NCH 30V 80A POWER MOSFET: RS1E35
Rohm Semiconductor
2,400
现货
1 : ¥25.20000
剪切带（CT）
2,500 : ¥10.50855
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
35A（Ta），80A（Tc）
4.5V，10V
1.7 毫欧 @ 35A，10V
2.5V @ 1mA
185 nC @ 10 V
±20V
7900 pF @ 15 V
-
3W（Ta），35W（Tc）
150°C（TJ）
表面贴装型
8-HSOP
8-PowerTDFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。