单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Infineon TechnologiesonsemiSTMicroelectronics
系列
Dual Cool™, PowerTrench®HEXFET®STripFET™ II
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
停产在售
漏源电压（Vdss）
30 V55 V150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
15A（Ta），99A（Tc）21A（Ta），40A（Tc）42A（Tc）80A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4V，10V4.5V，10V5V，10V6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.8 毫欧 @ 20A，10V5.5 毫欧 @ 40A，10V6.5 毫欧 @ 15A，10V27 毫欧 @ 25A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 250µA2.35V @ 50µA2.5V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
27 nC @ 5 V31 nC @ 10 V48 nC @ 5 V108 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1700 pF @ 25 V2060 pF @ 25 V2155 pF @ 25 V8205 pF @ 75 V
功率耗散（最大值）
2.7W（Ta），37W（Tc）3.2W（Ta），156W（Tc）110W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
8-Dual Cool™888-PQFN 双（3.3x3.3）DPAKTO-252AA (DPAK)
封装/外壳
8-PowerVDFNTO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-PQFN
FDMT800150DC
MOSFET N-CH 150V 15A/99A 8DUAL
onsemi
9,336
现货
9,000
工厂
1 : ¥41.79000
剪切带（CT）
3,000 : ¥30.88939
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
15A（Ta），99A（Tc）
6V，10V
6.5 毫欧 @ 15A，10V
4V @ 250µA
108 nC @ 10 V
±20V
8205 pF @ 75 V
-
3.2W（Ta），156W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-Dual Cool™88
8-PowerVDFN
IRFHM830DTR2PBF
IRFHM830TRPBF
MOSFET N-CH 30V 21A/40A PQFN
Infineon Technologies
7,833
现货
1 : ¥7.39000
剪切带（CT）
4,000 : ¥2.76260
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
21A（Ta），40A（Tc）
4.5V，10V
3.8 毫欧 @ 20A，10V
2.35V @ 50µA
31 nC @ 10 V
±20V
2155 pF @ 25 V
-
2.7W（Ta），37W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-PQFN 双（3.3x3.3）
8-PowerVDFN
TO252-3
IRLR2905TRPBF
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Infineon Technologies
1
现货
1 : ¥16.50000
剪切带（CT）
2,000 : ¥4.78230
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
55 V
42A（Tc）
4V，10V
27 毫欧 @ 25A，10V
2V @ 250µA
48 nC @ 5 V
±16V
1700 pF @ 25 V
-
110W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
MFG_DPAK(TO252-3)
STD100N3LF3
MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
STMicroelectronics
0
现货
1 : ¥15.11000
剪切带（CT）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
80A（Tc）
5V，10V
5.5 毫欧 @ 40A，10V
2.5V @ 250µA
27 nC @ 5 V
±20V
2060 pF @ 25 V
-
110W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
DPAK
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
显示
/ 4

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。