单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Infineon TechnologiesLittelfuse Inc.Vishay Siliconix
系列
-HEXFET®PolarP™
产品状态
最后售卖在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
55 V100 V200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
9.2A（Tc）30A（Tc）90A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4V，10V4V，5V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
35 毫欧 @ 16A，10V44 毫欧 @ 500mA，10V270 毫欧 @ 5.5A，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 250µA4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
12 nC @ 5 V25 nC @ 5 V205 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±10V±16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
490 pF @ 25 V880 pF @ 25 V12000 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
60W（Tc）68W（Tc）890W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
TO-220ABTO-264（IXTK）
封装/外壳
TO-220-3TO-264-3，TO-264AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-264
IXTK90P20P
MOSFET P-CH 200V 90A TO264
Littelfuse Inc.
226
现货
1 : ¥169.20000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
90A（Tc）
10V
44 毫欧 @ 500mA，10V
4V @ 1mA
205 nC @ 10 V
±20V
12000 pF @ 25 V
-
890W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-264（IXTK）
TO-264-3，TO-264AA
TO-220AB PKG
IRLZ34NPBF
MOSFET N-CH 55V 30A TO220AB
Infineon Technologies
49,011
现货
1 : ¥11.17000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
55 V
30A（Tc）
4V，10V
35 毫欧 @ 16A，10V
2V @ 250µA
25 nC @ 5 V
±16V
880 pF @ 25 V
-
68W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB
IRL520PBF
MOSFET N-CH 100V 9.2A TO220AB
Vishay Siliconix
6,732
现货
1 : ¥11.66000
管件
-
管件
最后售卖
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
9.2A（Tc）
4V，5V
270 毫欧 @ 5.5A，5V
2V @ 250µA
12 nC @ 5 V
±10V
490 pF @ 25 V
-
60W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。