单 FET,MOSFET

结果 : 2
系列
HEXFET®OptiMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)管件
产品状态
停产在售
漏源电压(Vdss)
55 V120 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
24A(Ta),237A(Tc)75A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
3 毫欧 @ 100A,10V7.5 毫欧 @ 75A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA4V @ 270µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
95 nC @ 10 V198 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
2840 pF @ 25 V13000 pF @ 60 V
功率耗散(最大值)
3.8W(Ta),375W(Tc)140W(Tc)
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
PG-HSOF-8-1TO-220AB
封装/外壳
8-PowerSFNTO-220-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果

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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
6,424
现货
1 : ¥48.36000
剪切带(CT)
2,000 : ¥23.55488
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
120 V
24A(Ta),237A(Tc)
10V
3 毫欧 @ 100A,10V
4V @ 270µA
198 nC @ 10 V
±20V
13000 pF @ 60 V
-
3.8W(Ta),375W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
PG-HSOF-8-1
8-PowerSFN
TO-220AB PKG
IRF1010ZPBF
MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
Infineon Technologies
0
现货
1,000 : ¥7.53406
管件
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
75A(Tc)
10V
7.5 毫欧 @ 75A,10V
4V @ 250µA
95 nC @ 10 V
±20V
2840 pF @ 25 V
-
140W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
TO-220AB
TO-220-3
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。