单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Infineon TechnologiesonsemiSTMicroelectronicsVishay Siliconix
系列
-OptiMOS™STripFET™ H6
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
115mA（Ta）6A（Tc）29A（Tc）36A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
25 毫欧 @ 10A，10V30 毫欧 @ 3A，10V35 毫欧 @ 29A，10V7.5 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA（最小）2V @ 28µA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
12 nC @ 4.5 V13 nC @ 5 V100 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
50 pF @ 25 V800 pF @ 30 V1450 pF @ 25 V3400 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
200mW（Ta）2.9W（Tc）68W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
PG-TO252-3PowerFlat™（3.3x3.3）PowerPAK® SO-8SOT-23-3
封装/外壳
8-PowerVDFNPowerPAK® SO-8TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
2N7002
MOSFET SOT23 N 60V 5OHM 150C
onsemi
80,411
现货
1 : ¥3.69000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.98624
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
115mA（Ta）
5V，10V
7.5 欧姆 @ 500mA，10V
2.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
200mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
8PowerVDFN
STL6P3LLH6
MOSFET P-CH 30V 6A POWERFLAT
STMicroelectronics
11,222
现货
1 : ¥9.28000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.84036
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
6A（Tc）
4.5V，10V
30 毫欧 @ 3A，10V
1V @ 250µA（最小）
12 nC @ 4.5 V
±20V
1450 pF @ 25 V
-
2.9W（Tc）
150°C（TJ）
表面贴装型
PowerFlat™（3.3x3.3）
8-PowerVDFN
TO252-3
IPD350N06LGBTMA1
MOSFET N-CH 60V 29A TO252-3
Infineon Technologies
4,256
现货
1 : ¥7.22000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.98919
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
29A（Tc）
4.5V，10V
35 毫欧 @ 29A，10V
2V @ 28µA
13 nC @ 5 V
±20V
800 pF @ 30 V
-
68W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
PowerPAK-SO-8-Single
SQJ457EP-T1_BE3
P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Vishay Siliconix
5,553
现货
1 : ¥7.80000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.21217
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
36A（Tc）
4.5V，10V
25 毫欧 @ 10A，10V
2.5V @ 250µA
100 nC @ 10 V
±20V
3400 pF @ 25 V
-
68W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。