单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Infineon TechnologiesLittelfuse Inc.STMicroelectronics
系列
CoolMOS™ CFD7AHiPerFET™, Ultra X3OptiMOS™SuperMESH™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
漏源电压（Vdss）
100 V250 V650 V800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
5.2A（Tc）45A（Tc）80A（Tc）180A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.5 毫欧 @ 100A，10V16 毫欧 @ 40A，10V50 毫欧 @ 24.8A，10V1.8 欧姆 @ 2.6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.5V @ 275µA4.5V @ 1.24mA4.5V @ 1.5mA4.5V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
40 nC @ 10 V83 nC @ 10 V102 nC @ 10 V200 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1138 pF @ 25 V4975 pF @ 400 V5430 pF @ 25 V14600 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
125W（Tc）227W（Tc）300W（Tc）390W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
D2PAKPG-TO247-3-41PG-TO263-7-3TO-263（D2PAK）
封装/外壳
TO-247-3TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263ABTO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-263-7, D2Pak
IPB180N10S402ATMA1
MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Infineon Technologies
2,117
现货
1 : ¥49.83000
剪切带（CT）
1,000 : ¥28.27399
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
180A（Tc）
10V
2.5 毫欧 @ 100A，10V
3.5V @ 275µA
200 nC @ 10 V
±20V
14600 pF @ 25 V
-
300W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TO263-7-3
TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
TO-263AB
IXFA80N25X3
MOSFET N-CH 250V 80A TO263AA
Littelfuse Inc.
2,586
现货
1 : ¥77.83000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
250 V
80A（Tc）
10V
16 毫欧 @ 40A，10V
4.5V @ 1.5mA
83 nC @ 10 V
±20V
5430 pF @ 25 V
-
390W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
D²PAK
STB9NK80Z
MOSFET N-CH 800V 5.2A D2PAK
STMicroelectronics
926
现货
1 : ¥18.96000
剪切带（CT）
1,000 : ¥8.99671
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
800 V
5.2A（Tc）
10V
1.8 欧姆 @ 2.6A，10V
4.5V @ 100µA
40 nC @ 10 V
±30V
1138 pF @ 25 V
-
125W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-247-3 AC EP
IPW65R050CFD7AXKSA1
MOSFET N-CH 650V 45A TO247-3-41
Infineon Technologies
224
现货
1 : ¥55.01000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
650 V
45A（Tc）
10V
50 毫欧 @ 24.8A，10V
4.5V @ 1.24mA
102 nC @ 10 V
±20V
4975 pF @ 400 V
-
227W（Tc）
-40°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
通孔
PG-TO247-3-41
TO-247-3
显示
/ 4

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。