单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Littelfuse Inc.
系列
aMOS™Trench
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
产品状态
不适用于新设计在售
漏源电压（Vdss）
100 V600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
27A（Tc）80A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
14 毫欧 @ 25A，10V160 毫欧 @ 13.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA5V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
26 nC @ 10 V60 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1294 pF @ 100 V3040 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
230W（Tc）357W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
TO-263（D2PAK）TO-263AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
7,597
现货
1 : ¥31.61000
剪切带（CT）
800 : ¥19.10453
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
27A（Tc）
10V
160 毫欧 @ 13.5A，10V
4V @ 250µA
26 nC @ 10 V
±30V
1294 pF @ 100 V
-
357W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-263AB
IXTA80N10T
MOSFET N-CH 100V 80A TO263
Littelfuse Inc.
1,660
现货
1,550
工厂
1 : ¥30.46000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
80A（Tc）
10V
14 毫欧 @ 25A，10V
5V @ 100µA
60 nC @ 10 V
±20V
3040 pF @ 25 V
-
230W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-263AA
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
显示
/ 2

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。