单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
onsemiRohm SemiconductorVishay Siliconix
系列
-TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
50 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
115mA（Tc）200mA（Ta）220mA（Ta）12A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.2V，4.5V4.5V，10V5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
19.8 毫欧 @ 6.1A，10V3 欧姆 @ 500mA，10V7.5 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 1mA1.6V @ 250µA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
2.4 nC @ 10 V43 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
25 pF @ 10 V27 pF @ 25 V50 pF @ 25 V2096 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
225mW（Ta）350mW（Ta）6.8W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
8-SOICSOT-23-3SOT-23-3（TO-236）SST3
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT 23-3
2N7002LT1G
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
onsemi
524,191
现货
1 : ¥2.22000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.37018
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
115mA（Tc）
5V，10V
7.5 欧姆 @ 500mA，10V
2.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
225mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
BSS138
MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23-3
onsemi
119,765
现货
1 : ¥2.87000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.48928
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
220mA（Ta）
4.5V，10V
3 欧姆 @ 500mA，10V
1.6V @ 250µA
2.4 nC @ 10 V
±20V
27 pF @ 25 V
-
350mW（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SBA120CS-AUR1A1XXX
RUC002N05HZGT116
MOSFET N-CH 50V 200MA SST3
Rohm Semiconductor
53,099
现货
1 : ¥1.97000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.32984
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
200mA（Ta）
1.2V，4.5V
-
1V @ 1mA
-
±8V
25 pF @ 10 V
-
350mW（Ta）
150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SST3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
8-SOIC
SQ4064EY-T1_BE3
MOSFET N-CHANNEL 60V 12A 8SOIC
Vishay Siliconix
5,634
现货
1 : ¥8.29000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.43630
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
12A（Tc）
4.5V，10V
19.8 毫欧 @ 6.1A，10V
2.5V @ 250µA
43 nC @ 10 V
±20V
2096 pF @ 25 V
-
6.8W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。