单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Taiwan Semiconductor CorporationVishay Siliconix
系列
-AlphaSGT™TrenchFET® Gen IV
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V100 V150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.5A（Ta）15.2A（Ta），20.5A（Tc）214A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4.3 毫欧 @ 20A，10V7.5 毫欧 @ 10A，10V250 毫欧 @ 1.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250µA3.7V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
12 nC @ 4.5 V87 nC @ 10 V115 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
975 pF @ 25 V3250 pF @ 15 V6460 pF @ 75 V
功率耗散（最大值）
1.38W（Ta）3.1W（Ta），5.6W（Tc）500W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
8-SOICSOT-23TOLLA
封装/外壳
8-PowerSFN8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
1,813
现货
1 : ¥53.94000
剪切带（CT）
2,000 : ¥28.68814
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
214A（Tc）
10V
4.3 毫欧 @ 20A，10V
3.7V @ 250µA
115 nC @ 10 V
±20V
6460 pF @ 75 V
-
500W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TOLLA
8-PowerSFN
20,894
现货
1 : ¥3.61000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.46340
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
1.5A（Ta）
10V
250 毫欧 @ 1.5A，10V
2.5V @ 250µA
12 nC @ 4.5 V
±20V
975 pF @ 25 V
-
1.38W（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
8-SOIC
SI4151DY-T1-GE3
P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET SO-8
Vishay Siliconix
1,149
现货
1 : ¥9.77000
剪切带（CT）
2,500 : ¥4.05426
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
15.2A（Ta），20.5A（Tc）
4.5V，10V
7.5 毫欧 @ 10A，10V
2.5V @ 250µA
87 nC @ 10 V
±25V
3250 pF @ 15 V
-
3.1W（Ta），5.6W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。