单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Panjit International Inc.Vishay Siliconix
系列
-TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
漏源电压（Vdss）
30 V60 V1000 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.9A（Ta）4.3A（Tc）6A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，10V4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
22 毫欧 @ 6A，10V70 毫欧 @ 1.9A，10V3.5 欧姆 @ 2.6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.2V @ 250µA3V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
4.8 nC @ 10 V27 nC @ 10 V120 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
447 pF @ 15 V1600 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
350mW（Ta）1.7W（Ta）150W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
8-SOICSOT-323TO-247AC
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）SC-70，SOT-323TO-247-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
172,873
现货
1 : ¥1.97000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.33042
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
1.9A（Ta）
1.8V，10V
70 毫欧 @ 1.9A，10V
1.2V @ 250µA
4.8 nC @ 10 V
±12V
447 pF @ 15 V
-
350mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
8-SOIC
SI4850EY-T1-E3
MOSFET N-CH 60V 6A 8SO
Vishay Siliconix
9,053
现货
1 : ¥13.96000
剪切带（CT）
2,500 : ¥6.28608
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
6A（Ta）
4.5V，10V
22 毫欧 @ 6A，10V
3V @ 250µA
27 nC @ 10 V
±20V
-
-
1.7W（Ta）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
TO-247-3 AC EP
IRFPG40PBF
MOSFET N-CH 1000V 4.3A TO247-3
Vishay Siliconix
179
现货
1 : ¥45.07000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
1000 V
4.3A（Tc）
10V
3.5 欧姆 @ 2.6A，10V
4V @ 250µA
120 nC @ 10 V
±20V
1600 pF @ 25 V
-
150W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-247AC
TO-247-3
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。