单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
onsemiRohm Semiconductor
系列
-PowerTrench®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
30 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.4A（Ta）8.4A（Ta），31A（Tc）9.2A（Ta），45A（Tc）120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4V，10V4.5V，10V6V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.5 毫欧 @ 75A，10V14.4 毫欧 @ 15A，10V23 毫欧 @ 7A，10V240 毫欧 @ 1.4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 1mA3V @ 42µA4V @ 250µA4V @ 78µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
2 nC @ 5 V13 nC @ 10 V116 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
70 pF @ 10 V850 pF @ 50 V965 pF @ 50 V7295 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
800mW（Ta）2.7W（Ta），62W（Tc）3.6W（Ta），49W（Tc）333W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
5-DFN（5x6）（8-SOFL）8-WDFN（3.3x3.3）TO-263（D2PAK）TUMT3
封装/外壳
3-SMD，扁平引线8-PowerTDFN，5 引线8-PowerWDFNTO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-263
FDB035N10A
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
onsemi
642
现货
1 : ¥54.60000
剪切带（CT）
800 : ¥32.95539
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
120A（Tc）
10V
3.5 毫欧 @ 75A，10V
4V @ 250µA
116 nC @ 10 V
±20V
7295 pF @ 25 V
-
333W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TUMT3
RSF014N03TL
MOSFET N-CH 30V 1.4A TUMT3
Rohm Semiconductor
8,109
现货
1 : ¥5.09000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.72450
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
1.4A（Ta）
4V，10V
240 毫欧 @ 1.4A，10V
2.5V @ 1mA
2 nC @ 5 V
20V
70 pF @ 10 V
-
800mW（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TUMT3
3-SMD，扁平引线
488~511DY~~8-Top
NTTFS012N10MDTAG
PTNG 100V LOW Q 12MOHM N-FET, U8
onsemi
4,685
现货
13,500
工厂
1 : ¥13.30000
剪切带（CT）
1,500 : ¥5.83247
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
9.2A（Ta），45A（Tc）
6V，10V
14.4 毫欧 @ 15A，10V
4V @ 78µA
13 nC @ 10 V
±20V
965 pF @ 50 V
-
2.7W（Ta），62W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-WDFN（3.3x3.3）
8-PowerWDFN
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NVMFS021N10MCLT1G
PTNG 100V LL SO8FL
onsemi
991
现货
1,500
工厂
1 : ¥7.06000
剪切带（CT）
1,500 : ¥3.01825
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
8.4A（Ta），31A（Tc）
4.5V，10V
23 毫欧 @ 7A，10V
3V @ 42µA
13 nC @ 10 V
±20V
850 pF @ 50 V
-
3.6W（Ta），49W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN，5 引线
显示
/ 4

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。