单 FET，MOSFET

结果 : 2
FET 类型
N 通道P 通道
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
540 毫欧 @ 600mA，10V600 毫欧 @ 600mA，10V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
8.3 nC @ 10 V18 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
180 pF @ 25 V390 pF @ 25 V
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媒体
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
4-DIP
IRFD110PBF
MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP
Vishay Siliconix
10,060
现货
1 : ¥18.39000
管件
-
管件
最后售卖
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
1A（Ta）
10V
540 毫欧 @ 600mA，10V
4V @ 250µA
8.3 nC @ 10 V
±20V
180 pF @ 25 V
-
1.3W（Ta）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
4-HVMDIP
4-DIP（0.300"，7.62mm）
4-DIP
IRFD9120PBF
MOSFET P-CH 100V 1A 4DIP
Vishay Siliconix
45,998
现货
1 : ¥18.88000
管件
-
管件
最后售卖
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
1A（Ta）
10V
600 毫欧 @ 600mA，10V
4V @ 250µA
18 nC @ 10 V
±20V
390 pF @ 25 V
-
1.3W（Ta）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
4-HVMDIP
4-DIP（0.300"，7.62mm）
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。