单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Diodes IncorporatedTexas InstrumentsToshiba Semiconductor and Storage
系列
-NexFET™U-MOSVII-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V25 V30 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
400mA（Ta）1A（Ta）5A（Tc）24A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V3V，8V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
16.5 毫欧 @ 12A，10V24 毫欧 @ 4A，8V450 毫欧 @ 600mA，4.5V1.5 欧姆 @ 100mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA1.55V @ 250µA2.1V @ 250µA2.3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.6 nC @ 4.5 V0.74 nC @ 4.5 V2.8 nC @ 4.5 V34 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±6V+10V，-8V±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
40 pF @ 10 V60.67 pF @ 16 V340 pF @ 12.5 V1180 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
290mW（Ta）500mW（Ta）2.3W（Ta）4.1W（Ta），24W（Tc）
供应商器件封装
6-SON8-DFN-EP（3x3）CST3SOT-323
封装/外壳
6-SMD，扁平引线8-PowerVDFNSC-101，SOT-883SC-70，SOT-323
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
30,487
现货
1 : ¥1.89000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.24620
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
400mA（Ta）
4.5V，10V
1.5 欧姆 @ 100mA，10V
2.1V @ 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
40 pF @ 10 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
CST3
SC-101，SOT-883
SOT-323
DMG1012UW-7
MOSFET N-CH 20V 1A SOT323
Diodes Incorporated
523,932
现货
8,847,000
工厂
1 : ¥2.79000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.46763
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
1A（Ta）
1.8V，4.5V
450 毫欧 @ 600mA，4.5V
1V @ 250µA
0.74 nC @ 4.5 V
±6V
60.67 pF @ 16 V
-
290mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
249,148
现货
1 : ¥3.61000
剪切带（CT）
5,000 : ¥1.16087
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
24A（Tc）
4.5V，10V
16.5 毫欧 @ 12A，10V
2.3V @ 250µA
34 nC @ 10 V
±25V
1180 pF @ 15 V
-
4.1W（Ta），24W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-DFN-EP（3x3）
8-PowerVDFN
CSD-6-SON Pkg
CSD16301Q2
MOSFET N-CH 25V 5A 6SON
Texas Instruments
20,377
现货
1 : ¥3.94000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.32358
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
25 V
5A（Tc）
3V，8V
24 毫欧 @ 4A，8V
1.55V @ 250µA
2.8 nC @ 4.5 V
+10V，-8V
340 pF @ 12.5 V
-
2.3W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
6-SON
6-SMD，扁平引线
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。