单 FET，MOSFET

结果 : 7
制造商
onsemiSTMicroelectronicsVishay Siliconix
系列
-PowerTrench®STripFET™ H6TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
260mA（Ta）2A（Ta）3.6A（Ta）5.5A（Ta）5.7A（Ta）7A（Ta）12A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V2.5V，4.5V4.5V，10V6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
16.5 毫欧 @ 7A，4.5V23 毫欧 @ 7A，10V24 毫欧 @ 5A，4.5V26 毫欧 @ 6.2A，10V30 毫欧 @ 7.5A，10V56 毫欧 @ 1A，10V2.5 欧姆 @ 240mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA1.2V @ 250µA2V @ 250µA2.5V @ 250µA2.6V @ 250µA3V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.81 nC @ 5 V6 nC @ 4.5 V16.5 nC @ 10 V17.8 nC @ 4.5 V20 nC @ 5 V21 nC @ 4.5 V72 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±12V±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
40 pF @ 25 V639 pF @ 25 V934 pF @ 50 V1460 pF @ 15 V1540 pF @ 16 V2130 pF @ 10 V
功率耗散（最大值）
300mW（Ta）350mW（Tc）470mW（Ta）1.5W（Ta）1.6W（Ta）2.5W（Ta）3.5W（Ta），19W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
8-SOICPowerPAK® SC-70-6SOT-23-3SOT-23-3（TO-236）SuperSOT™-6
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）PowerPAK® SC-70-6SOT-23-6 细型，TSOT-23-6TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
7结果
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/ 7
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT 23-3
NTR5103NT1G
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
onsemi
91,050
现货
1 : ¥1.97000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.32801
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
260mA（Ta）
4.5V，10V
2.5 欧姆 @ 240mA，10V
2.6V @ 250µA
0.81 nC @ 5 V
±30V
40 pF @ 25 V
-
300mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
8-SOIC
SI4431BDY-T1-E3
MOSFET P-CH 30V 5.7A 8SO
Vishay Siliconix
30,508
现货
1 : ¥7.96000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.27896
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
5.7A（Ta）
4.5V，10V
30 毫欧 @ 7.5A，10V
3V @ 250µA
20 nC @ 5 V
±20V
-
-
1.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
SOT 23-3
NTR3C21NZT1G
MOSFET N-CH 20V 3.6A SOT23-3
onsemi
10,492
现货
1 : ¥3.45000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.15457
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
3.6A（Ta）
1.8V，4.5V
24 毫欧 @ 5A，4.5V
1V @ 250µA
17.8 nC @ 4.5 V
±8V
1540 pF @ 16 V
-
470mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TS432AILT
STR2P3LLH6
MOSFET P-CH 30V 2A SOT-23
STMicroelectronics
14,799
现货
1 : ¥4.19000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.40530
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
2A（Ta）
4.5V，10V
56 毫欧 @ 1A，10V
2.5V @ 250µA
6 nC @ 4.5 V
±20V
639 pF @ 25 V
-
350mW（Tc）
150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
PowerPak SC-70-6 Single
SIA445EDJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Vishay Siliconix
5,946
现货
1 : ¥5.01000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.91420
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
12A（Tc）
2.5V，4.5V
16.5 毫欧 @ 7A，4.5V
1.2V @ 250µA
72 nC @ 10 V
±12V
2130 pF @ 10 V
-
3.5W（Ta），19W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® SC-70-6
PowerPAK® SC-70-6
SG6858TZ
FDC645N
MOSFET N-CH 30V 5.5A SUPERSOT6
onsemi
6,000
现货
3,000
工厂
1 : ¥5.75000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.19776
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
5.5A（Ta）
4.5V，10V
26 毫欧 @ 6.2A，10V
2V @ 250µA
21 nC @ 4.5 V
±12V
1460 pF @ 15 V
-
1.6W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SuperSOT™-6
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
8-SOIC
FDS86141
MOSFET N-CH 100V 7A 8SOIC
onsemi
7,420
现货
1 : ¥18.31000
剪切带（CT）
2,500 : ¥8.24028
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
7A（Ta）
6V，10V
23 毫欧 @ 7A，10V
4V @ 250µA
16.5 nC @ 10 V
±20V
934 pF @ 50 V
-
2.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。