单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
Infineon TechnologiesRohm SemiconductorToshiba Semiconductor and Storage
系列
-HEXFET®U-MOSIIIU-MOSVII-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V40 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
100mA（Ta）170mA（Ta）200mA（Ta）3A（Ta）18A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.2V，4.5V2.5V，4V4V，10V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
5 毫欧 @ 17A，10V85 毫欧 @ 3A，10V1.2 欧姆 @ 200mA，4.5V3.6 欧姆 @ 10mA，4V3.9 欧姆 @ 100mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 100µA1.5V @ 100µA2.1V @ 250µA2.25V @ 250µA2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.35 nC @ 4.5 V1.4 nC @ 4.5 V5 nC @ 5 V50 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±10V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
13.5 pF @ 3 V17 pF @ 10 V115 pF @ 10 V380 pF @ 10 V4500 pF @ 20 V
功率耗散（最大值）
150mW（Ta）700mW（Ta）2.5W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
8-SOSSMTSMT3USMVMT3
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）SC-70，SOT-323SC-75，SOT-416SC-96SOT-723
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
IRF7842TRPBF
MOSFET N-CH 40V 18A 8SO
Infineon Technologies
22,384
现货
1 : ¥13.22000
剪切带（CT）
4,000 : ¥5.46001
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
18A（Ta）
4.5V，10V
5 毫欧 @ 17A，10V
2.25V @ 250µA
50 nC @ 4.5 V
±20V
4500 pF @ 20 V
-
2.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
211,296
现货
1 : ¥1.31000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.26375
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
170mA（Ta）
4.5V，10V
3.9 欧姆 @ 100mA，10V
2.1V @ 250µA
0.35 nC @ 4.5 V
±20V
17 pF @ 10 V
-
150mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SSM
SC-75，SOT-416
63,557
现货
1 : ¥1.64000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.32440
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
100mA（Ta）
2.5V，4V
3.6 欧姆 @ 10mA，4V
1.5V @ 100µA
-
±20V
13.5 pF @ 3 V
-
150mW（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
USM
SC-70，SOT-323
VMT3 Pkg
RZM002P02T2L
MOSFET P-CH 20V 200MA VMT3
Rohm Semiconductor
113,990
现货
1 : ¥1.97000
剪切带（CT）
8,000 : ¥0.34508
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
200mA（Ta）
1.2V，4.5V
1.2 欧姆 @ 200mA，4.5V
1V @ 100µA
1.4 nC @ 4.5 V
±10V
115 pF @ 10 V
-
150mW（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
VMT3
SOT-723
TSMT3
RQ5L030SNTL
MOSFET N-CH 60V 3A TSMT3
Rohm Semiconductor
4,579
现货
1 : ¥5.34000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.03234
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
3A（Ta）
4V，10V
85 毫欧 @ 3A，10V
2.5V @ 1mA
5 nC @ 5 V
±20V
380 pF @ 10 V
-
700mW（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
TSMT3
SC-96
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。