单 FET，MOSFET

结果 : 7
制造商
Infineon TechnologiesMicro Commercial CoonsemiSTMicroelectronics
系列
-HEXFET®STripFET™ F7
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V55 V60 V100 V150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
115mA（Ta）170mA（Ta）900mA（Ta）4.2A（Ta）18A（Tc）53A（Tc）130A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4.5V4.5V，10V5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.5 毫欧 @ 13A，10V8.2 毫欧 @ 20A，10V45 毫欧 @ 4.2A，4.5V110 毫欧 @ 9.6A，10V1.2 欧姆 @ 540mA，10V6 欧姆 @ 100mA，10V7.5 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.2V @ 250µA2.5V @ 250µA2.6V @ 1mA4V @ 250µA5.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
6.8 nC @ 10 V12 nC @ 5 V31 nC @ 10 V32 nC @ 10 V42 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
20 pF @ 25 V50 pF @ 25 V88 pF @ 25 V650 pF @ 25 V740 pF @ 15 V1988 pF @ 30 V2600 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
200mW（Ta）225mW（Ta）1.25W（Ta）2W（Ta）4.8W（Ta），125W（Tc）57W（Tc）70W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
DFN5060Micro3™/SOT-23Micro6™（TSOP-6）PowerFlat™（5x6）SOT-23-3SOT-23-3（TO-236）TO-252AA (DPAK)
封装/外壳
8-PowerTDFN8-PowerVDFNSOT-23-6 细型，TSOT-23-6TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
7结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT 23-3
BSS123LT1G
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
onsemi
284,619
现货
1 : ¥2.96000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.49111
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
170mA（Ta）
10V
6 欧姆 @ 100mA，10V
2.6V @ 1mA
-
±20V
20 pF @ 25 V
-
225mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002
MOSFET SOT23 N 60V 5OHM 150C
onsemi
90,011
现货
1 : ¥3.69000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.98624
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
115mA（Ta）
5V，10V
7.5 欧姆 @ 500mA，10V
2.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
200mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML2502TRPBF
MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23
Infineon Technologies
90,209
现货
1 : ¥4.10000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.10821
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
4.2A（Ta）
2.5V，4.5V
45 毫欧 @ 4.2A，4.5V
1.2V @ 250µA
12 nC @ 5 V
±12V
740 pF @ 15 V
-
1.25W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO252-3
IRFR5505TRPBF
MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
Infineon Technologies
145,143
现货
1 : ¥8.95000
剪切带（CT）
2,000 : ¥3.70771
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
55 V
18A（Tc）
10V
110 毫欧 @ 9.6A，10V
4V @ 250µA
32 nC @ 10 V
±20V
650 pF @ 25 V
-
57W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TSOT-23-6, TSOT-6
IRF5802TRPBF
MOSFET N-CH 150V 900MA MICRO6
Infineon Technologies
9,135
现货
1 : ¥4.76000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.59853
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
900mA（Ta）
10V
1.2 欧姆 @ 540mA，10V
5.5V @ 250µA
6.8 nC @ 10 V
±30V
88 pF @ 25 V
-
2W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
Micro6™（TSOP-6）
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
PowerFlat™
STL130N6F7
MOSFET N-CH 60V 130A POWERFLAT
STMicroelectronics
11,383
现货
1 : ¥16.58000
剪切带（CT）
3,000 : ¥6.97043
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
130A（Tc）
10V
3.5 毫欧 @ 13A，10V
4V @ 250µA
42 nC @ 10 V
±20V
2600 pF @ 25 V
-
4.8W（Ta），125W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PowerFlat™（5x6）
8-PowerVDFN
8-PowerTDFN
MCAC53N06Y-TP
MOSFET N-CH 60V 53A DFN5060
Micro Commercial Co
10,073
现货
1 : ¥6.90000
剪切带（CT）
5,000 : ¥2.70349
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
53A（Tc）
4.5V，10V
8.2 毫欧 @ 20A，10V
2.5V @ 250µA
31 nC @ 10 V
±20V
1988 pF @ 30 V
-
70W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
DFN5060
8-PowerTDFN
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。