单 FET,MOSFET
结果 : 8
制造商
系列
包装
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
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比较 | 制造商零件编号 | 现有数量 | 价格 | 系列 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 漏源电压(Vdss) | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | Vgs(最大值) | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | FET 功能 | 功率耗散(最大值) | 工作温度 | 安装类型 | 供应商器件封装 | 封装/外壳 |
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1,035 现货 | 1 : ¥39.32000 剪切带(CT) 1,000 : ¥20.34800 卷带(TR) | 卷带(TR) 剪切带(CT) Digi-Reel® 得捷定制卷带 | 在售 | N 通道 | SiCFET(碳化硅) | 1700 V | 5.2A(Tc) | 12V,15V | 1000毫欧 @ 1A,15V | 5.7V @ 1.1mA | 5 nC @ 12 V | +20V,-10V | 275 pF @ 1000 V | - | 68W(Tc) | -55°C ~ 175°C(TJ) | 表面贴装型 | PG-TO263-7-13 | TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA | |||
1,004 现货 | 1 : ¥40.15000 管件 | 管件 | 在售 | N 通道 | MOSFET(金属氧化物) | 100 V | 120A(Tc) | 10V | 4.5 毫欧 @ 75A,10V | 4V @ 250µA | 210 nC @ 10 V | ±20V | 9620 pF @ 50 V | - | 370W(Tc) | -55°C ~ 175°C(TJ) | 通孔 | TO-247AC | TO-247-3 | |||
1,895 现货 | 1 : ¥43.51000 剪切带(CT) 1,000 : ¥22.50734 卷带(TR) | 卷带(TR) 剪切带(CT) Digi-Reel® 得捷定制卷带 | 在售 | N 通道 | MOSFET(金属氧化物) | 1500 V | 2.5A(Tc) | 10V | 9 欧姆 @ 1.3A,10V | 5V @ 250µA | 29.3 nC @ 10 V | ±30V | 939 pF @ 25 V | - | 140W(Tc) | 150°C(TJ) | 表面贴装型 | H2PAK | TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),变体 | |||
3,660 现货 | 1 : ¥83.17000 管件 | 管件 | 在售 | N 通道 | MOSFET(金属氧化物) | 1200 V | 6A(Tc) | 10V | 2.4 欧姆 @ 500mA,10V | 5V @ 1mA | 92 nC @ 10 V | ±30V | 2830 pF @ 25 V | - | 250W(Tc) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装型 | TO-263AA(IXFA) | TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB | |||
680 现货 | 1 : ¥39.32000 剪切带(CT) 1,000 : ¥20.34332 卷带(TR) | 卷带(TR) 剪切带(CT) Digi-Reel® 得捷定制卷带 | 在售 | N 通道 | MOSFET(金属氧化物) | 900 V | 8A(Tc) | 10V | 1.3 欧姆 @ 3.6A,10V | 4.5V @ 100µA | 72 nC @ 10 V | ±30V | 2115 pF @ 25 V | - | 160W(Tc) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装型 | D2PAK | TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB | |||
0 现货 查看交期 | 1 : ¥29.23000 剪切带(CT) 800 : ¥17.63323 卷带(TR) | 卷带(TR) 剪切带(CT) Digi-Reel® 得捷定制卷带 | 在售 | P 通道 | MOSFET(金属氧化物) | 60 V | 47A(Tc) | 10V | 26 毫欧 @ 23.5A,10V | 4V @ 250µA | 110 nC @ 10 V | ±25V | 3600 pF @ 25 V | - | 3.75W(Ta),160W(Tc) | -55°C ~ 175°C(TJ) | 表面贴装型 | TO-263(D2PAK) | TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB | |||
0 现货 查看交期 | 800 : ¥60.86534 卷带(TR) | - | 卷带(TR) | 在售 | N 通道 | MOSFET(金属氧化物) | 1500 V | 3A(Tc) | 10V | 7.3 欧姆 @ 1.5A,10V | 5V @ 250µA | 38.6 nC @ 10 V | ±30V | 1375 pF @ 25 V | - | 250W(Tc) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装型 | TO-263HV | TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB | ||
0 现货 查看交期 | 600 : ¥198.47503 散装 | - | 散装 | 在售 | N 通道 | MOSFET(金属氧化物) | 1200 V | 91A(Tc) | 18V | 30 毫欧 @ 50A,18V | 4.9V @ 1mA | 150 nC @ 18 V | +22V,-10V | 3540 pF @ 800 V | - | 547W | -55°C ~ 200°C(TJ) | 通孔 | TO-247-4 | TO-247-4 |
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