单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
onsemiSTMicroelectronics
系列
-SuperMESH™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）散装管件
产品状态
不适用于新设计在售
漏源电压（Vdss）
60 V600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
500mA（Ta）4A（Tc）6A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.2 欧姆 @ 3A，10V2 欧姆 @ 2A，10V5 欧姆 @ 200mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3V @ 1mA4.5V @ 100µA4.5V @ 50µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
26 nC @ 10 V46 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
40 pF @ 10 V510 pF @ 25 V905 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
830mW（Ta）70W（Tc）110W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
D2PAKI2PAKTO-92-3
封装/外壳
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AATO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
BS170
MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
onsemi
37,249
现货
1 : ¥3.37000
散装
-
散装
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
500mA（Ta）
10V
5 欧姆 @ 200mA，10V
3V @ 1mA
-
±20V
40 pF @ 10 V
-
830mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-92-3
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
D²PAK
STB4NK60ZT4
MOSFET N-CH 600V 4A D2PAK
STMicroelectronics
4,356
现货
1 : ¥10.84000
剪切带（CT）
1,000 : ¥6.45931
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
4A（Tc）
10V
2 欧姆 @ 2A，10V
4.5V @ 50µA
26 nC @ 10 V
±30V
510 pF @ 25 V
-
70W（Tc）
150°C（TJ）
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-262-3 Long Leads
STB6NK60Z-1
MOSFET N-CH 600V 6A I2PAK
STMicroelectronics
0
现货
2,000 : ¥4.26028
管件
管件
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
6A（Tc）
10V
1.2 欧姆 @ 3A，10V
4.5V @ 100µA
46 nC @ 10 V
±30V
905 pF @ 25 V
-
110W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
I2PAK
TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。