单 FET,MOSFET

结果 : 4
制造商
Infineon TechnologiesVishay Siliconix
系列
OptiMOS™OptiMOS™-5TrenchFET®TrenchFET® Gen IV
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
漏源电压(Vdss)
30 V40 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
12A(Tc)40A(Tj)82A(Tc)100A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
2.5V,4.5V4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
2.56 毫欧 @ 50A,10V5 毫欧 @ 20A,10V7.4 毫欧 @ 10A,10V19 毫欧 @ 11A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250µA2V @ 24µA2.5V @ 250µA3.4V @ 29µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
30.5 nC @ 10 V34 nC @ 10 V36 nC @ 10 V41 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±12V±16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1265 pF @ 15 V2019 pF @ 25 V2159 pF @ 25 V2200 pF @ 30 V
功率耗散(最大值)
19.2W(Tc)62W(Tc)71W(Tc)104W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装,可润湿侧翼表面贴装型
供应商器件封装
PG-TDSON-8PG-TSDSON-8-33PowerPAK® 1212-8SLWPowerPAK® SC-70-6
封装/外壳
8-PowerTDFNPowerPAK® 1212-8SLWPowerPAK® SC-70-6
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果

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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PowerPak SC-70-6 Single
SIA400EDJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Vishay Siliconix
150,978
现货
1 : ¥4.93000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.65113
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
12A(Tc)
2.5V,4.5V
19 毫欧 @ 11A,4.5V
1.5V @ 250µA
36 nC @ 10 V
±12V
1265 pF @ 15 V
-
19.2W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SC-70-6
PowerPAK® SC-70-6
46,682
现货
1 : ¥8.95000
剪切带(CT)
5,000 : ¥3.52705
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
100A(Tc)
4.5V,10V
2.56 毫欧 @ 50A,10V
2V @ 24µA
34 nC @ 10 V
±16V
2019 pF @ 25 V
-
62W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TDSON-8
8-PowerTDFN
IAUZ40N06S5N050ATMA1
IAUZ40N06S5N050ATMA1
MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON-8-33
Infineon Technologies
9,659
现货
1 : ¥10.84000
剪切带(CT)
5,000 : ¥4.27622
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
40A(Tj)
-
5 毫欧 @ 20A,10V
3.4V @ 29µA
30.5 nC @ 10 V
±20V
2200 pF @ 30 V
-
71W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TSDSON-8-33
8-PowerTDFN
PowerPAK_1212-8SLW_Top
SQS164ELNW-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Vishay Siliconix
2,457
现货
1 : ¥7.14000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.95411
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
82A(Tc)
4.5V,10V
7.4 毫欧 @ 10A,10V
2.5V @ 250µA
41 nC @ 10 V
±20V
2159 pF @ 25 V
-
104W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装,可润湿侧翼
PowerPAK® 1212-8SLW
PowerPAK® 1212-8SLW
显示
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。