单 FET，MOSFET

结果 : 14
制造商
Infineon TechnologiesLittelfuse Inc.onsemiVishay Siliconix
系列
-HEXFET®PowerTrench®QFET®SIPMOS®TrenchFET®TrenchP™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
55 V60 V65 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
300mA（Ta）9.2A（Ta），53A（Tc）18A（Tc）19A（Tc）27A（Tc）28A（Tc）30A（Tc）35A（Ta）40A（Tc）74A（Tc）76A（Tc）80A（Tc）90A（Tc）120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4V，10V4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.6 毫欧 @ 75A，10V9.3 毫欧 @ 30A，10V19.5 毫欧 @ 30A，10V20 毫欧 @ 38A，10V23 毫欧 @ 64A，10V25 毫欧 @ 38A，10V26 毫欧 @ 15A，10V29.5 毫欧 @ 18A，10V45 毫欧 @ 14A，10V60 毫欧 @ 24A，10V70 毫欧 @ 13.5A，10V100 毫欧 @ 10A，10V140 毫欧 @ 11A，10V2 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250µA3V @ 250µA4V @ 250µA4V @ 5.5mA4.5V @ 250µA-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.6 nC @ 4.5 V34 nC @ 10 V35 nC @ 10 V43 nC @ 10 V46 nC @ 10 V55 nC @ 10 V110 nC @ 10 V115 nC @ 10 V116 nC @ 10 V173 nC @ 10 V180 nC @ 10 V197 nC @ 10 V240 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±15V±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
30 pF @ 25 V620 pF @ 25 V1100 pF @ 25 V1400 pF @ 25 V2030 pF @ 25 V2400 pF @ 20 V2700 pF @ 25 V3400 pF @ 25 V3500 pF @ 25 V3600 pF @ 25 V5033 pF @ 25 V7295 pF @ 25 V9200 pF @ 25 V13700 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
350mW（Ta）2.4W（Ta），250W（Tc）3.1W（Ta），104.2W（Tc）50W（Tc）62W（Tc）68W（Tc）83W（Tc）88W（Tc）120W（Tc）200W（Tc）298W（Tc）333W（Tc）340W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
ATPAKPG-TO220-3-1SOT-23-3（TO-236）TO-220-3TO-220ABTO-220F-3
封装/外壳
ATPAK（2 引线 + 凸片）TO-220-3TO-220-3 整包TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
14结果
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/ 14
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
2N7002K-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 300MA TO236
Vishay Siliconix
819,387
现货
1 : ¥2.30000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.39032
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
300mA（Ta）
4.5V，10V
2 欧姆 @ 500mA，10V
2.5V @ 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
30 pF @ 25 V
-
350mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
ATPAK
ATP113-TL-H
MOSFET P-CH 60V 35A ATPAK
onsemi
4,261
现货
1 : ¥13.38000
剪切带（CT）
3,000 : ¥6.03245
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
35A（Ta）
4V，10V
29.5 毫欧 @ 18A，10V
-
55 nC @ 10 V
±20V
2400 pF @ 20 V
-
50W（Tc）
150°C（TJ）
表面贴装型
ATPAK
ATPAK（2 引线 + 凸片）
TO-220-3
FQP27P06
MOSFET P-CH 60V 27A TO220-3
onsemi
7,907
现货
1 : ¥17.24000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
27A（Tc）
10V
70 毫欧 @ 13.5A，10V
4V @ 250µA
43 nC @ 10 V
±25V
1400 pF @ 25 V
-
120W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220-3
TO-220-3
TO-220AB PKG
IRF4905PBF
MOSFET P-CH 55V 74A TO220AB
Infineon Technologies
40,287
现货
1 : ¥17.40000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
55 V
74A（Tc）
10V
20 毫欧 @ 38A，10V
4V @ 250µA
180 nC @ 10 V
±20V
3400 pF @ 25 V
-
200W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB PKG
IRF5210PBF
MOSFET P-CH 100V 40A TO220AB
Infineon Technologies
7,440
现货
1 : ¥19.79000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
40A（Tc）
10V
60 毫欧 @ 24A，10V
4V @ 250µA
180 nC @ 10 V
±20V
2700 pF @ 25 V
-
200W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220-3
SPP80P06PHXKSA1
MOSFET P-CH 60V 80A TO220-3
Infineon Technologies
2,098
现货
1 : ¥29.97000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
80A（Tc）
10V
23 毫欧 @ 64A，10V
4V @ 5.5mA
173 nC @ 10 V
±20V
5033 pF @ 25 V
-
340W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
PG-TO220-3-1
TO-220-3
TO-220AB
SUP90P06-09L-E3
MOSFET P-CH 60V 90A TO220AB
Vishay Siliconix
1,475
现货
1 : ¥43.92000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
90A（Tc）
4.5V，10V
9.3 毫欧 @ 30A，10V
3V @ 250µA
240 nC @ 10 V
±20V
9200 pF @ 25 V
-
2.4W（Ta），250W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220-3
FDP036N10A
MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
onsemi
1,581
现货
1 : ¥44.00000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
120A（Tc）
10V
3.6 毫欧 @ 75A，10V
4V @ 250µA
116 nC @ 10 V
±20V
7295 pF @ 25 V
-
333W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220-3
TO-220-3
TO-220-3
IXTP76P10T
MOSFET P-CH 100V 76A TO220AB
Littelfuse Inc.
7,726
现货
1 : ¥49.92000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
76A（Tc）
10V
25 毫欧 @ 38A，10V
4V @ 250µA
197 nC @ 10 V
±15V
13700 pF @ 25 V
-
298W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-220-3
TO-220-3
TO-220AB PKG
IRF9Z34NPBF
MOSFET P-CH 55V 19A TO220AB
Infineon Technologies
72,542
现货
1 : ¥5.42000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
55 V
19A（Tc）
10V
100 毫欧 @ 10A，10V
4V @ 250µA
35 nC @ 10 V
±20V
620 pF @ 25 V
-
68W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB
SUP53P06-20-E3
MOSFET P-CH 60V 9.2A/53A TO220AB
Vishay Siliconix
3,292
现货
1 : ¥22.99000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
9.2A（Ta），53A（Tc）
4.5V，10V
19.5 毫欧 @ 30A，10V
3V @ 250µA
115 nC @ 10 V
±20V
3500 pF @ 25 V
-
3.1W（Ta），104.2W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220F
FQPF47P06
MOSFET P-CH 60V 30A TO220F
onsemi
417
现货
1 : ¥25.78000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
30A（Tc）
10V
26 毫欧 @ 15A，10V
4V @ 250µA
110 nC @ 10 V
±25V
3600 pF @ 25 V
-
62W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220F-3
TO-220-3 整包
TO-220-3
IXTP28P065T
MOSFET P-CH 65V 28A TO220AB
Littelfuse Inc.
190
现货
1 : ¥29.47000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
65 V
28A（Tc）
10V
45 毫欧 @ 14A，10V
4.5V @ 250µA
46 nC @ 10 V
±15V
2030 pF @ 25 V
-
83W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-220-3
TO-220-3
TO-220AB
IRF9Z34PBF
MOSFET P-CH 60V 18A TO220AB
Vishay Siliconix
0
现货
查看交期
1 : ¥14.45000
管件
-
管件
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
18A（Tc）
10V
140 毫欧 @ 11A，10V
4V @ 250µA
34 nC @ 10 V
±20V
1100 pF @ 25 V
-
88W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
显示
/ 14

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。