单 FET，MOSFET

结果 : 6
系列
-PowerTrench®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
20 V40 V60 V100 V150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.7A（Ta）3A（Ta）4.1A（Ta）4.3A（Ta）7A（Ta），18A（Tc）37A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4.5V4.5V，10V6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
10.3 毫欧 @ 20A，10V24 毫欧 @ 6.5A，10V35 毫欧 @ 3A，4.5V47 毫欧 @ 4.3A，10V67 毫欧 @ 4.1A，10V155 毫欧 @ 1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 250µA2V @ 250µA2.2V @ 250µA2.5V @ 250µA3V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
2.8 nC @ 4.5 V7.3 nC @ 10 V10 nC @ 4.5 V13 nC @ 10 V19 nC @ 10 V22 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
182 pF @ 25 V570 pF @ 25 V700 pF @ 10 V760 pF @ 75 V763 pF @ 25 V1290 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
500mW（Ta）900mW（Ta）1.6W（Ta）2.3W（Ta），41W（Tc）2.5W（Ta），5W（Tc）28W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装，可润湿侧翼表面贴装型
供应商器件封装
5-DFNW（4.9x5.9）（8-SOFL-WF）8-MLP（3.3x3.3）8-SOICSOT-23-3SOT-23-3（TO-236）SuperSOT™-6
封装/外壳
8-PowerTDFN，5 引线8-PowerWDFN8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）SOT-23-6 细型，TSOT-23-6TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
6结果
显示
/ 6
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT 23-3
NTR5198NLT1G
MOSFET N-CH 60V 1.7A SOT23-3
onsemi
118,821
现货
1 : ¥3.20000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.70799
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
1.7A（Ta）
4.5V，10V
155 毫欧 @ 1A，10V
2.5V @ 250µA
2.8 nC @ 4.5 V
±20V
182 pF @ 25 V
-
900mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
FDN339AN
MOSFET N-CH 20V 3A SUPERSOT3
onsemi
48,967
现货
120,000
工厂
1 : ¥3.94000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.31600
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
3A（Ta）
2.5V，4.5V
35 毫欧 @ 3A，4.5V
1.5V @ 250µA
10 nC @ 4.5 V
±8V
700 pF @ 10 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SG6858TZ
FDC5661N-F085
MOSFET N-CH 60V 4.3A SUPERSOT6
onsemi
17,790
现货
1 : ¥5.25000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.76486
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
4.3A（Ta）
4.5V，10V
47 毫欧 @ 4.3A，10V
3V @ 250µA
19 nC @ 10 V
±20V
763 pF @ 25 V
-
1.6W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SuperSOT™-6
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
8-MLP, Power33
FDMC86102LZ
MOSFET N-CH 100V 7A/18A 8MLP
onsemi
5,767
现货
1 : ¥14.29000
剪切带（CT）
3,000 : ¥6.45042
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
7A（Ta），18A（Tc）
4.5V，10V
24 毫欧 @ 6.5A，10V
2.2V @ 250µA
22 nC @ 10 V
±20V
1290 pF @ 50 V
-
2.3W（Ta），41W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-MLP（3.3x3.3）
8-PowerWDFN
FDS86242
FDS86242
MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC
onsemi
24,294
现货
1 : ¥9.03000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.75208
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
4.1A（Ta）
6V，10V
67 毫欧 @ 4.1A，10V
4V @ 250µA
13 nC @ 10 V
±20V
760 pF @ 75 V
-
2.5W（Ta），5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8-PowerTDFN, 5 Leads
NVMFS5C468NLWFAFT1G
MOSFET N-CH 40V 37A 5DFN
onsemi
1,225
现货
1 : ¥12.40000
剪切带（CT）
1,500 : ¥5.43451
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
37A（Tc）
4.5V，10V
10.3 毫欧 @ 20A，10V
2V @ 250µA
7.3 nC @ 10 V
±20V
570 pF @ 25 V
-
28W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装，可润湿侧翼
5-DFNW（4.9x5.9）（8-SOFL-WF）
8-PowerTDFN，5 引线
显示
/ 6

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。