单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Diodes IncorporatedVishay Siliconix
系列
-TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
20 V40 V250 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
310mA（Ta）5.6A（Tc）20A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，10V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
6 毫欧 @ 10A，10V42 毫欧 @ 4.3A，10V8.5 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.8V @ 1mA2.1V @ 250µA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
3.65 nC @ 10 V9 nC @ 10 V95 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±16V±20V±40V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
72 pF @ 25 V340 pF @ 20 V3700 pF @ 10 V
功率耗散（最大值）
1.25W（Ta），2.1W（Tc）2W（Ta）2.5W（Ta），5.7W（Tc）
供应商器件封装
8-SOICSOT-223-3SOT-23-3（TO-236）
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-261-4，TO-261AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
SI2318CDS-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 5.6A SOT23-3
Vishay Siliconix
28,894
现货
1 : ¥3.61000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.97327
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
5.6A（Tc）
4.5V，10V
42 毫欧 @ 4.3A，10V
2.5V @ 250µA
9 nC @ 10 V
±20V
340 pF @ 20 V
-
1.25W（Ta），2.1W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-223-3
ZVN4525GTA
MOSFET N-CH 250V 310MA SOT223
Diodes Incorporated
4,119
现货
158,000
工厂
1 : ¥7.31000
剪切带（CT）
1,000 : ¥3.10881
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
250 V
310mA（Ta）
2.5V，10V
8.5 欧姆 @ 500mA，10V
1.8V @ 1mA
3.65 nC @ 10 V
±40V
72 pF @ 25 V
-
2W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-223-3
TO-261-4，TO-261AA
8-SOIC
SI4114DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 20A 8SO
Vishay Siliconix
156,189
现货
1 : ¥10.59000
剪切带（CT）
2,500 : ¥4.37796
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
20A（Tc）
4.5V，10V
6 毫欧 @ 10A，10V
2.1V @ 250µA
95 nC @ 10 V
±16V
3700 pF @ 10 V
-
2.5W（Ta），5.7W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。