单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Diodes IncorporatedToshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
-TrenchFET® Gen IVU-MOSIX-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
590mA（Ta）15A（Ta）23.7A（Ta），81.2A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4.3 毫欧 @ 15A，10V8.9 毫欧 @ 4A，10V495 毫欧 @ 400mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
700mV @ 250µA（典型值）2.1V @ 100µA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1.54 nC @ 8 V7.5 nC @ 4.5 V48 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
80 pF @ 10 V1130 pF @ 15 V1980 pF @ 30 V
功率耗散（最大值）
240mW（Ta）1.25W（Ta）4.8W（Ta），57W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TA）
供应商器件封装
6-UDFNB（2x2）PowerPAK® 1212-8SSOT-523
封装/外壳
6-WDFN 裸露焊盘PowerPAK® 1212-8SSOT-523
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-523
DMP21D0UT-7
MOSFET P-CH 20V 590MA SOT523
Diodes Incorporated
311,220
现货
891,000
工厂
1 : ¥3.04000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.66245
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
590mA（Ta）
1.8V，4.5V
495 毫欧 @ 400mA，4.5V
700mV @ 250µA（典型值）
1.54 nC @ 8 V
±8V
80 pF @ 10 V
-
240mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-523
SOT-523
43,934
现货
1 : ¥5.75000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.33125
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
15A（Ta）
4.5V，10V
8.9 毫欧 @ 4A，10V
2.1V @ 100µA
7.5 nC @ 4.5 V
±20V
1130 pF @ 15 V
-
1.25W（Ta）
150°C（TA）
表面贴装型
6-UDFNB（2x2）
6-WDFN 裸露焊盘
PowerPAK 1212-8S
SISS26LDN-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 23.7A/81.2A PPAK
Vishay Siliconix
6,609
现货
1 : ¥10.26000
剪切带（CT）
3,000 : ¥4.24426
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
23.7A（Ta），81.2A（Tc）
4.5V，10V
4.3 毫欧 @ 15A，10V
2.5V @ 250µA
48 nC @ 10 V
±20V
1980 pF @ 30 V
-
4.8W（Ta），57W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8S
PowerPAK® 1212-8S
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。