单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Infineon TechnologiesVishay Siliconix
系列
OptiMOS™TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
80 V150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
18A（Tc）33A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V8V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
21 毫欧 @ 10A，10V36 毫欧 @ 25A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250µA4V @ 45µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
15 nC @ 10 V21 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1190 pF @ 75 V1358 pF @ 40 V
功率耗散（最大值）
62.5W（Tc）74W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
PG-TDSON-8-1PowerPAK® 1212-8
封装/外壳
8-PowerTDFNPowerPAK® 1212-8
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PG-TDSON-8-1
BSC360N15NS3GATMA1
MOSFET N-CH 150V 33A 8TDSON
Infineon Technologies
15,246
现货
1 : ¥14.53000
剪切带（CT）
5,000 : ¥6.31299
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
33A（Tc）
8V，10V
36 毫欧 @ 25A，10V
4V @ 45µA
15 nC @ 10 V
±20V
1190 pF @ 75 V
-
74W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-1
8-PowerTDFN
PowerPAK 1212-8
SQSA80ENW-T1_GE3
MOSFET N-CH 80V 18A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
10,921
现货
1 : ¥8.70000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.61511
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
18A（Tc）
4.5V，10V
21 毫欧 @ 10A，10V
2.5V @ 250µA
21 nC @ 10 V
±20V
1358 pF @ 40 V
-
62.5W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。