单 FET，MOSFET

结果 : 7
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.onsemiToshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
-TrenchFET®U-MOSVIπ-MOSVI
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V40 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
100mA（Ta）1.13A（Ta）1.6A（Ta）3.5A（Ta）4A（Ta）5A（Tc）10A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4V4V，10V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
10 毫欧 @ 10A，10V42 毫欧 @ 3.8A，10V71 毫欧 @ 3A，10V100 毫欧 @ 1.2A，10V134 毫欧 @ 1A，10V200 毫欧 @ 1.95A，10V12 欧姆 @ 10mA，4V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.7V @ 100µA2V @ 100µA2V @ 1mA2.4V @ 250µA2.5V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
5.9 nC @ 10 V10 nC @ 10 V15.1 nC @ 10 V22 nC @ 10 V37 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
+10V，-20V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
9.1 pF @ 3 V140 pF @ 5 V200 pF @ 15 V280 pF @ 15 V660 pF @ 10 V705 pF @ 15 V1950 pF @ 20 V
功率耗散（最大值）
150mW（Ta）400mW（Tj）420mW（Ta）1W（Ta）1.7W（Ta）1.7W（Tc）2W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C150°C（TJ）
供应商器件封装
8-SOICSOT-23-3（TO-236）SOT-23FVESM
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）SOT-23-3 扁平引线SOT-723TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
7结果
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/ 7
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
116,114
现货
1 : ¥3.28000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.88140
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
3.5A（Ta）
4V，10V
134 毫欧 @ 1A，10V
2V @ 1mA
15.1 nC @ 10 V
+10V，-20V
660 pF @ 10 V
-
2W（Ta）
150°C
表面贴装型
SOT-23F
SOT-23-3 扁平引线
143,078
现货
1 : ¥3.45000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.62274
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
4A（Ta）
4V，10V
71 毫欧 @ 3A，10V
2V @ 100µA
5.9 nC @ 10 V
±20V
280 pF @ 15 V
-
1W（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23F
SOT-23-3 扁平引线
SOT 23-3
MGSF1N03LT1G
MOSFET N-CH 30V 1.6A SOT23-3
onsemi
30,828
现货
1 : ¥3.78000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.27564
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
1.6A（Ta）
4.5V，10V
100 毫欧 @ 1.2A，10V
2.4V @ 250µA
-
±20V
140 pF @ 5 V
-
420mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
174,057
现货
1 : ¥5.01000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.68783
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
10A（Ta）
4.5V，10V
10 毫欧 @ 10A，10V
3V @ 250µA
37 nC @ 10 V
±20V
1950 pF @ 20 V
-
1.7W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
21,920
现货
1 : ¥1.81000
剪切带（CT）
8,000 : ¥0.28039
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
100mA（Ta）
2.5V，4V
12 欧姆 @ 10mA，4V
1.7V @ 100µA
-
±20V
9.1 pF @ 3 V
-
150mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
VESM
SOT-723
SOT-23-3
SI2347DS-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 5A SOT23-3
Vishay Siliconix
197,921
现货
1 : ¥3.37000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.74211
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
5A（Tc）
4.5V，10V
42 毫欧 @ 3.8A，10V
2.5V @ 250µA
22 nC @ 10 V
±20V
705 pF @ 15 V
-
1.7W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT 23-3
NTR4502PT1G
MOSFET P-CH 30V 1.13A SOT23-3
onsemi
1,508
现货
1 : ¥3.61000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.79854
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
1.13A（Ta）
4.5V，10V
200 毫欧 @ 1.95A，10V
3V @ 250µA
10 nC @ 10 V
±20V
200 pF @ 15 V
-
400mW（Tj）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。