单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Micro Commercial Coonsemi
系列
-PowerTrench®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V40 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.3A（Ta）4.5A（Ta）35A
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4.5V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
25 毫欧 @ 15A，10V72 毫欧 @ 4.5A，10V200 毫欧 @ 1.3A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 250µA2.5V @ 250µA2.8V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
5 nC @ 4.5 V12 nC @ 10 V26.6 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
330 pF @ 10 V415 pF @ 50 V1257 pF @ 20 V
功率耗散（最大值）
500mW（Ta）2.8W（Ta）38W
供应商器件封装
6-DFN（2x2）DFN3333SOT-23-3
封装/外壳
6-UDFN 裸露焊盘8-VDFN 裸露焊盘TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
6-DFN
AON2290
MOSFET N CH 100V 4.5A DFN 2X2B
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
227,323
现货
1 : ¥3.37000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.36488
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
4.5A（Ta）
4.5V，10V
72 毫欧 @ 4.5A，10V
2.8V @ 250µA
12 nC @ 10 V
±20V
415 pF @ 50 V
-
2.8W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
6-DFN（2x2）
6-UDFN 裸露焊盘
SOT-23-3
FDN336P
MOSFET P-CH 20V 1.3A SUPERSOT3
onsemi
15,076
现货
1 : ¥3.53000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.17781
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
1.3A（Ta）
2.5V，4.5V
200 毫欧 @ 1.3A，4.5V
1.5V @ 250µA
5 nC @ 4.5 V
±8V
330 pF @ 10 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
MCG30N03A-TP
MCG35P04-TP
P-CHANNEL MOSFET,DFN3333
Micro Commercial Co
10,495
现货
1 : ¥3.69000
剪切带（CT）
5,000 : ¥1.18990
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
35A
4.5V，10V
25 毫欧 @ 15A，10V
2.5V @ 250µA
26.6 nC @ 10 V
±20V
1257 pF @ 20 V
-
38W
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
DFN3333
8-VDFN 裸露焊盘
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。