单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
Infineon TechnologiesonsemiRohm SemiconductorSTMicroelectronicsVishay Siliconix
系列
-CoolMOS™EQFET®SuperMESH5™
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.6A（Ta）2A（Tc）3A（Tc）3.9A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.35 欧姆 @ 1.5A，10V1.4 欧姆 @ 2.3A，10V4.2 欧姆 @ 800mA，10V4.5 欧姆 @ 1A，10V4.8 欧姆 @ 1.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.9V @ 240µA4V @ 250µA4.5V @ 150µA5V @ 100µA5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
3 nC @ 10 V7.5 nC @ 10 V16.5 nC @ 10 V23 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±30V30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
95 pF @ 100 V140 pF @ 100 V321 pF @ 100 V570 pF @ 100 V705 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
20W（Tc）28W（Tc）29W（Tc）31W（Tc）39W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-40°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
PG-TO220-FPTO-220 整包TO-220F-3TO-220FMTO-220FP
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-220F
FQPF3N80C
MOSFET N-CH 800V 3A TO220F
onsemi
189
现货
1 : ¥14.94000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
800 V
3A（Tc）
10V
4.8 欧姆 @ 1.5A，10V
5V @ 250µA
16.5 nC @ 10 V
±30V
705 pF @ 25 V
-
39W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-220F-3
TO-220-3 整包
TO-220-F
STF2N80K5
MOSFET N-CH 800V 2A TO220FP
STMicroelectronics
1,885
现货
1 : ¥8.13000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
800 V
2A（Tc）
10V
4.5 欧姆 @ 1A，10V
5V @ 100µA
3 nC @ 10 V
30V
95 pF @ 100 V
-
20W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-220FP
TO-220-3 整包
PG-TO-220-FP
IPA80R1K4CEXKSA2
MOSFET N-CH 800V 3.9A TO220
Infineon Technologies
484
现货
1 : ¥9.28000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
800 V
3.9A（Tc）
10V
1.4 欧姆 @ 2.3A，10V
3.9V @ 240µA
23 nC @ 10 V
±20V
570 pF @ 100 V
-
31W（Tc）
-40°C ~ 150°C（TJ）
通孔
PG-TO220-FP
TO-220-3 整包
R6004KNXC7G
R8002KNXC7G
800V 1.6A, TO-220FM, HIGH-SPEED
Rohm Semiconductor
944
现货
1 : ¥11.25000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
800 V
1.6A（Ta）
10V
4.2 欧姆 @ 800mA，10V
4.5V @ 150µA
7.5 nC @ 10 V
±20V
140 pF @ 100 V
-
28W（Tc）
150°C（TJ）
通孔
TO-220FM
TO-220-3 整包
SIHA5N80AE-GE3
SIHA5N80AE-GE3
E SERIES POWER MOSFET THIN-LEAD
Vishay Siliconix
0
现货
查看交期
1 : ¥10.92000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
800 V
3A（Tc）
10V
1.35 欧姆 @ 1.5A，10V
4V @ 250µA
16.5 nC @ 10 V
±30V
321 pF @ 100 V
-
29W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-220 整包
TO-220-3 整包
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。