单 FET,MOSFET

结果 : 5
制造商
Infineon TechnologiesSTMicroelectronics
系列
CoolMOS™CoolMOS™ G7CoolMOS™ P7MDmesh™ K5SuperMESH™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)管件
漏源电压(Vdss)
600 V700 V900 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
11A(Tc)12.5A(Tc)15A(Tc)20A(Tc)75A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
28 毫欧 @ 28.8A,10V250 毫欧 @ 10A,10V360 毫欧 @ 3A,10V500 毫欧 @ 6.6A,10V550 毫欧 @ 7.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 150µA3.5V @ 740µA4V @ 1.44mA4.5V @ 150µA5V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
16.4 nC @ 10 V40 nC @ 10 V68 nC @ 10 V123 nC @ 10 V256 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±16V±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
517 pF @ 400 V1500 pF @ 100 V1700 pF @ 100 V4820 pF @ 400 V6100 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
59.4W(Tc)156W(Tc)250W(Tc)350W(Tc)391W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
PG-HSOF-8-2PG-TO247-3-21PG-TO252-3TO-247-3
封装/外壳
8-PowerSFNTO-247-3TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果

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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO252-3
IPD70R360P7SAUMA1
MOSFET N-CH 700V 12.5A TO252-3
Infineon Technologies
105,859
现货
1 : ¥5.50000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.94115
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
700 V
12.5A(Tc)
10V
360 毫欧 @ 3A,10V
3.5V @ 150µA
16.4 nC @ 10 V
±16V
517 pF @ 400 V
-
59.4W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
PG-HSOF-8-2
IPT60R028G7XTMA1
MOSFET N-CH 600V 75A 8HSOF
Infineon Technologies
4,479
现货
1 : ¥112.88000
剪切带(CT)
2,000 : ¥66.51379
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
75A(Tc)
10V
28 毫欧 @ 28.8A,10V
4V @ 1.44mA
123 nC @ 10 V
±20V
4820 pF @ 400 V
-
391W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-HSOF-8-2
8-PowerSFN
MOSFETTO247
IPW90R500C3XKSA1
MOSFET N-CH 900V 11A TO247-3
Infineon Technologies
1,631
现货
1 : ¥35.22000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
900 V
11A(Tc)
10V
500 毫欧 @ 6.6A,10V
3.5V @ 740µA
68 nC @ 10 V
±20V
1700 pF @ 100 V
-
156W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
PG-TO247-3-21
TO-247-3
TO-247-3 HiP
STW20N90K5
MOSFET N-CH 900V 20A TO247
STMicroelectronics
588
现货
1 : ¥55.83000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
900 V
20A(Tc)
10V
250 毫欧 @ 10A,10V
5V @ 100µA
40 nC @ 10 V
±30V
1500 pF @ 100 V
-
250W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-3 HiP
STW15NK90Z
MOSFET N-CH 900V 15A TO247-3
STMicroelectronics
599
现货
1 : ¥71.43000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
900 V
15A(Tc)
10V
550 毫欧 @ 7.5A,10V
4.5V @ 150µA
256 nC @ 10 V
±30V
6100 pF @ 25 V
-
350W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-247-3
TO-247-3
显示
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。