单 FET,MOSFET
结果 : 10
制造商
系列
包装
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
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比较 | 制造商零件编号 | 现有数量 | 价格 | 系列 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 漏源电压(Vdss) | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | Vgs(最大值) | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | FET 功能 | 功率耗散(最大值) | 工作温度 | 安装类型 | 供应商器件封装 | 封装/外壳 |
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1,002 现货 | 1 : ¥153.03000 管件 | 管件 | 在售 | N 通道 | MOSFET(金属氧化物) | 600 V | 101A(Tc) | 10V | 18 毫欧 @ 58.2A,10V | 4.5V @ 2.91mA | 251 nC @ 10 V | ±20V | 9901 pF @ 400 V | - | 416W(Tc) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 通孔 | PG-TO247-3 | TO-247-3 | |||
262 现货 | 1 : ¥293.58000 管件 | - | 管件 | 在售 | N 通道 | SiCFET(碳化硅) | 700 V | 131A(Tc) | 20V | 19 毫欧 @ 40A,20V | 2.4V @ 1mA | 215 nC @ 20 V | +25V,-10V | 4500 pF @ 700 V | - | 400W(Tc) | -55°C ~ 175°C(TJ) | 通孔 | TO-247-3 | TO-247-3 | ||
79 现货 | 1 : ¥469.44000 管件 | - | 管件 | 在售 | N 通道 | SiCFET(碳化硅) | 1200 V | 77A(Tc) | 20V | 31 毫欧 @ 40A,20V | 2.8V @ 1mA | 232 nC @ 20 V | +25V,-10V | 3020 pF @ 1000 V | - | 278W(Tc) | -55°C ~ 175°C(TJ) | 底座安装 | SOT-227(ISOTOP®) | SOT-227-4,miniBLOC | ||
127 现货 | 1 : ¥337.09000 管件 | - | 管件 | 在售 | N 通道 | SiCFET(碳化硅) | 1200 V | 89A(Tc) | - | - | - | - | - | - | - | - | -55°C ~ 175°C(TJ) | 表面贴装型 | D3PAK | TO-268-3,D3PAK(2 引线 + 凸片),TO-268AA | ||
127 现货 | 1 : ¥62.39000 管件 | - | 管件 | 在售 | N 通道 | SiCFET(碳化硅) | 700 V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | -55°C ~ 175°C(TJ) | 通孔 | TO-247-3 | TO-247-3 | ||
236 现货 | 1 : ¥370.75000 管件 | 管件 | 在售 | N 通道 | MOSFET(金属氧化物) | 650 V | 108A(Tc) | 10V | 24 毫欧 @ 54A,10V | 5.5V @ 8mA | 225 nC @ 10 V | ±30V | 15500 pF @ 25 V | - | 890W(Tc) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 底座安装 | SOT-227B | SOT-227-4,miniBLOC | |||
103 现货 | 1 : ¥70.03000 管件 | - | 管件 | 在售 | N 通道 | SiCFET(碳化硅) | 700 V | 25A(Tc) | - | - | - | - | - | - | - | - | -55°C ~ 175°C(TJ) | 表面贴装型 | D3PAK | TO-268-3,D3PAK(2 引线 + 凸片),TO-268AA | ||
58 现货 | 1 : ¥182.42000 管件 | - | 管件 | 在售 | N 通道 | SiCFET(碳化硅) | 1200 V | 30A(Tc) | 20V | 100 毫欧 @ 20A,20V | 4V @ 10mA | 58 nC @ 20 V | +25V,-10V | 1336 pF @ 1000 V | - | 142W(Tc) | -55°C ~ 175°C(TJ) | 底座安装 | SOT-227 | SOT-227-4,miniBLOC | ||
30 现货 | 1 : ¥301.22000 管件 | - | 管件 | 在售 | N 通道 | SiCFET(碳化硅) | 700 V | 126A(Tc) | 20V | 19 毫欧 @ 40A,20V | 2.4V @ 4mA(典型值) | 215 nC @ 20 V | +23V,-10V | 4500 pF @ 700 V | - | 370W(Tc) | -55°C ~ 175°C(TJ) | 表面贴装型 | D3PAK | TO-268-3,D3PAK(2 引线 + 凸片),TO-268AA | ||
20 现货 | 1 : ¥544.47000 散装 | - | 散装 | 在售 | N 通道 | SiCFET(碳化硅) | 1200 V | 88A(Tc) | 20V | 22 毫欧 @ 40A,20V | 2.7V @ 4.5mA(典型值) | 249 nC @ 20 V | +23V,-10V | 5280 pF @ 1000 V | - | 278W(Tc) | -55°C ~ 175°C(TJ) | - | SOT-227 | - |
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