单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesToshiba Semiconductor and Storage
系列
-OptiMOS™U-MOSVII-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
40 V60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
170mA（Ta）200mA（Ta）40A（Ta），100A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1mOhm @ 50A， 10V3.9 欧姆 @ 100mA，10V6 欧姆 @ 170mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 1mA2.1V @ 250µA2.3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.35 nC @ 4.5 V67 nC @ 4.5 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
17 pF @ 10 V60 pF @ 25 V4600 pF @ 20 V
功率耗散（最大值）
200mW（Ta）320mW（Ta）3W（Ta），150W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
PG-TDSON-8-6SOT-23-3SOT-323
封装/外壳
8-PowerTDFNSC-70，SOT-323TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-323
BSS123WQ-7-F
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT323
Diodes Incorporated
226,278
现货
1 : ¥2.79000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.46761
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
170mA（Ta）
4.5V，10V
6 欧姆 @ 170mA，10V
2V @ 1mA
-
±20V
60 pF @ 25 V
-
200mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
8-Power TDFN
BSC010N04LS6ATMA1
MOSFET N-CH 40V 40A/100A TDSON
Infineon Technologies
14,864
现货
1 : ¥18.23000
剪切带（CT）
5,000 : ¥7.89413
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
40A（Ta），100A（Tc）
4.5V，10V
1mOhm @ 50A， 10V
2.3V @ 250µA
67 nC @ 4.5 V
±20V
4600 pF @ 20 V
-
3W（Ta），150W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TDSON-8-6
8-PowerTDFN
481,014
现货
1 : ¥1.15000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.21577
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
200mA（Ta）
4.5V，10V
3.9 欧姆 @ 100mA，10V
2.1V @ 250µA
0.35 nC @ 4.5 V
±20V
17 pF @ 10 V
-
320mW（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。