单 FET,MOSFET

结果 : 26
制造商
Infineon TechnologiesMicrochip TechnologyonsemiQorvoSTMicroelectronicsToshiba Semiconductor and StorageWolfspeed, Inc.
系列
-C2M™C3M™CoolSiC™Z-FET™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
技术
MOSFET(金属氧化物)SiC(碳化硅结晶体管)SiCFET(共源共栅 SiCJFET)SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss)
650 V900 V1200 V1700 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
7.6A(Tc)17A(Tc)20A(Tc)34A(Tc)37A(Tc)45A(Tc)47A(Tc)60A(Tc)63A(Tc)65A(Tc)66A(Tc)72A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
12V15V18V20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
20 毫欧 @ 50A,18V21 毫欧 @ 55.8A,15V22 毫欧 @ 40A,20V22 毫欧 @ 80.28A,15V22.3 毫欧 @ 75A,15V28 毫欧 @ 60A,15V28毫欧 @ 60A,20V28,8 毫欧 @ 50A,15V30 毫欧 @ 50A,18V34 毫欧 @ 33.5A,15V43毫欧 @ 40A,15V52 毫欧 @ 30A,18V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.7V @ 4.5mA(典型值)2.8V @ 10mA3V @ 1mA3.5V @ 1mA (典型值)3,6V @ 17,7mA3.6V @ 11.5mA3.6V @ 15.5mA3.6V @ 1mA3.6V @ 2.33mA3.6V @ 22.08mA3.6V @ 23mA3.6V @ 5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
19 nC @ 15 V37.8 nC @ 15 V38 nC @ 15 V45 nC @ 20 V46 nC @ 15 V46 nC @ 18 V94 nC @ 18 V101 nC @ 15 V105 nC @ 20 V108 nC @ 15 V111 nC @ 15 V114 nC @ 15 V
Vgs(最大值)
-8V,+19V+15V,-4V+18V,-15V+19V,-10V+19V,-8V±20V+22V,-10V+25V,-10V+25V,-15V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
345 pF @ 1000 V632 pF @ 1000 V650 pF @ 400 V1020 pF @ 600 V1370 pF @ 800 V1527 pF @ 800 V1700 pF @ 400 V1893 pF @ 1000 V1900 pF @ 400 V1969 pF @ 800 V2890 pF @ 800 V2900 pF @ 1000 V
功率耗散(最大值)
50W(Tc)97W(Tc)150W(Tc)175W(Tc)227W(Tc)263W(Tc)270W(Tc)283W(Tc)318W(Tc)326W(Tc)330W(Tc)388W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)-55°C ~ 200°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)-40°C ~ 175°C(TJ)175°C
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
HiP247™HiP247™ 长引线PG-TO263-7-12TO-247TO-247-3TO-247-4TO-247-4LTOLL
封装/外壳
8-PowerSFNTO-247-3TO-247-4TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
26结果

显示
/ 26
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
C2D10120D
C3M0350120D
SICFET N-CH 1200V 7.6A TO247-3
Wolfspeed, Inc.
2,753
现货
1 : ¥60.75000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
7.6A(Tc)
15V
455 毫欧 @ 3.6A,15V
3.6V @ 1mA
19 nC @ 15 V
+15V,-4V
345 pF @ 1000 V
-
50W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
C2D10120D
C3M0040120D
1200V 40MOHM SIC MOSFET
Wolfspeed, Inc.
289
现货
1 : ¥221.83000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
66A(Tc)
15V
53.5 毫欧 @ 33.3A,15V
3.6V @ 9.5mA
101 nC @ 15 V
+15V,-4V
2900 pF @ 1000 V
-
326W(Tc)
-40°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-3
NTHL020N090SC1
SICFET N-CH 900V 118A TO247-3
onsemi
172
现货
900
工厂
1 : ¥225.19000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
900 V
118A(Tc)
15V
28 毫欧 @ 60A,15V
4.3V @ 20mA
196 nC @ 15 V
+19V,-10V
4415 pF @ 450 V
-
503W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
C2D10120D
C3M0015065D
SICFET N-CH 650V 120A TO247-3
Wolfspeed, Inc.
708
现货
1 : ¥293.83000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
650 V
120A(Tc)
15V
21 毫欧 @ 55.8A,15V
3.6V @ 15.5mA
188 nC @ 15 V
+15V,-4V
5011 pF @ 400 V
-
416W(Tc)
-40°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
C3M0065100K
C3M0021120K
SICFET N-CH 1200V 100A TO247-4L
Wolfspeed, Inc.
1,337
现货
1 : ¥336.77000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
100A(Tc)
15V
28,8 毫欧 @ 50A,15V
3,6V @ 17,7mA
162 nC @ 15 V
+15V,-4V
4818 pF @ 1000 V
-
469W(Tc)
-40°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-4L
TO-247-4
C2D10120D
C2M0040120D
SICFET N-CH 1200V 60A TO247-3
Wolfspeed, Inc.
1,093
现货
1 : ¥420.18000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
60A(Tc)
20V
52 毫欧 @ 40A,20V
2.8V @ 10mA
115 nC @ 20 V
+25V,-10V
1893 pF @ 1000 V
-
330W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
C2D10120D
C3M0016120D
SICFET N-CH 1200V 115A TO247-3
Wolfspeed, Inc.
1,407
现货
1 : ¥597.59000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
115A(Tc)
15V
22.3 毫欧 @ 75A,15V
3.6V @ 23mA
207 nC @ 15 V
+15V,-4V
6085 pF @ 1000 V
-
556W(Tc)
-40°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
C3M0065100K
E3M0016120K
SIC, MOSFET, 16M, 1200V, TO-247-
Wolfspeed, Inc.
226
现货
1 : ¥634.95000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiC(碳化硅结晶体管)
1200 V
125A(Tc)
15V
22 毫欧 @ 80.28A,15V
3.6V @ 22.08mA
223 nC @ 15 V
+19V,-8V
6922 pF @ 1000 V
-
483W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
通孔
TO-247-4L
TO-247-4
C2D10120D
C2M0045170D
SICFET N-CH 1700V 72A TO247-3
Wolfspeed, Inc.
445
现货
1 : ¥963.09000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1700 V
72A(Tc)
20V
70 毫欧 @ 50A,20V
4V @ 18mA
188 nC @ 20 V
+25V,-10V
3672 pF @ 1000 V
-
520W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
C2D10120D
C3M0160120D
SICFET N-CH 1200V 17A TO247-3
Wolfspeed, Inc.
1,944
现货
1 : ¥91.21000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
17A(Tc)
15V
208 毫欧 @ 8.5A,15V
3.6V @ 2.33mA
38 nC @ 15 V
+15V,-4V
632 pF @ 1000 V
-
97W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
C2D10120D
C3M0060065D
SICFET N-CH 650V 37A TO247-3
Wolfspeed, Inc.
697
现货
1 : ¥95.56000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
650 V
37A(Tc)
15V
79 毫欧 @ 13.2A,15V
3.6V @ 5mA
46 nC @ 15 V
+15V,-4V
1020 pF @ 600 V
-
150W(Tc)
-40°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
CoolSiC_MOSFET
IMBG120R045M1HXTMA1
SICFET N-CH 1.2KV 47A TO263
Infineon Technologies
1,007
现货
1 : ¥124.62000
剪切带(CT)
1,000 : ¥78.95229
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
47A(Tc)
-
63 毫欧 @ 16A,18V
5.7V @ 7.5mA
46 nC @ 18 V
+18V,-15V
1527 pF @ 800 V
-
227W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-7-12
TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
C3M0065100K
C3M0060065K
SICFET N-CH 650V 37A TO247-4L
Wolfspeed, Inc.
514
现货
1 : ¥136.04000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
650 V
37A(Tc)
15V
79 毫欧 @ 13.2A,15V
3.6V @ 5mA
46 nC @ 15 V
+15V,-4V
1020 pF @ 600 V
-
150W(Tc)
-40°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-4L
TO-247-4
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120
SCTWA60N120G2-4
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120
STMicroelectronics
598
现货
1 : ¥190.47000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
60A(Tc)
18V
52 毫欧 @ 30A,18V
5V @ 1mA
94 nC @ 18 V
+22V,-10V
1969 pF @ 800 V
-
388W(Tc)
-55°C ~ 200°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-4
TO-247-4
C2D10120D
C3M0032120D
SICFET N-CH 1200V 63A TO247-3
Wolfspeed, Inc.
225
现货
1 : ¥208.94000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
63A(Tc)
15V
43毫欧 @ 40A,15V
3.6V @ 11.5mA
114 nC @ 15 V
+15V,-4V
3357 pF @ 1000 V
-
283W(Tc)
-40°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
C3M0025065L-TR
C3M0025065L-TR
SIC, MOSFET, 25M, 650V, TOLL, T&
Wolfspeed, Inc.
1,845
现货
1 : ¥262.80000
剪切带(CT)
2,000 : ¥168.50624
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
650 V
77A(Tc)
15V
34 毫欧 @ 33.5A,15V
3.6V @ 9.22mA
111 nC @ 15 V
-8V,+19V
2970 pF @ 400 V
-
326W(Tc)
-40°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TOLL
8-PowerSFN
TO-247-4
NTH4L020N120SC1
SICFET N-CH 1200V 102A TO247
onsemi
313
现货
1 : ¥306.64000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
102A(Tc)
20V
28毫欧 @ 60A,20V
4.3V @ 20mA
220 nC @ 20 V
+25V,-15V
2943 pF @ 800 V
-
510W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-4L
TO-247-4
57
现货
1 : ¥533.80000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
100A(Tc)
18V
20 毫欧 @ 50A,18V
5V @ 11.7mA
158 nC @ 18 V
+25V,-10V
6000 pF @ 800 V
-
431W(Tc)
175°C
-
-
通孔
TO-247
TO-247-3
TO-247-3L
UF4C120053K3S
1200V/53MOHM, SIC, FAST CASCODE,
Qorvo
542
现货
1 : ¥120.44000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(共源共栅 SiCJFET)
1200 V
34A(Tc)
12V
67 毫欧 @ 20A,12V
6V @ 10mA
37.8 nC @ 15 V
±20V
1370 pF @ 800 V
-
263W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
C2D10120D
C3M0025065D
GEN 3 650V 25 M SIC MOSFET
Wolfspeed, Inc.
1,548
现货
1 : ¥255.16000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
650 V
97A(Tc)
15V
34 毫欧 @ 33.5A,15V
3.6V @ 9.22mA
108 nC @ 15 V
+19V,-8V
2980 pF @ 600 V
-
326W(Tc)
-40°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-3
NVHL020N120SC1
SICFET N-CH 1200V 103A TO247-3
onsemi
244
现货
450
工厂
1 : ¥289.89000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
103A(Tc)
20V
28毫欧 @ 60A,20V
4.3V @ 20mA
203 nC @ 20 V
+25V,-15V
2890 pF @ 800 V
-
535W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-3 HiP
SCTWA50N120
SICFET N-CH 1200V 65A HIP247
STMicroelectronics
378
现货
1 : ¥172.16000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
65A(Tc)
20V
69 毫欧 @ 40A,20V
3V @ 1mA
122 nC @ 20 V
+25V,-10V
1900 pF @ 400 V
-
318W(Tc)
-55°C ~ 200°C(TJ)
-
-
通孔
HiP247™
TO-247-3
SCTWA30N120
SCTWA20N120
IC POWER MOSFET 1200V HIP247
STMicroelectronics
526
现货
1 : ¥111.74000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
20A(Tc)
20V
239毫欧 @ 10A,20V
3.5V @ 1mA (典型值)
45 nC @ 20 V
+25V,-10V
650 pF @ 400 V
-
175W(Tc)
-55°C ~ 200°C(TJ)
-
-
通孔
HiP247™ 长引线
TO-247-3
SCTWA30N120
SCTWA30N120
IC POWER MOSFET 1200V HIP247
STMicroelectronics
294
现货
30 : ¥171.27033
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
45A(Tc)
20V
100 毫欧 @ 20A,20V
3.5V @ 1mA (典型值)
105 nC @ 20 V
+25V,-10V
1700 pF @ 400 V
-
270W(Tc)
-55°C ~ 200°C(TJ)
-
-
通孔
HiP247™ 长引线
TO-247-3
TO-247-3
MSC017SMA120B
MOSFET SIC 1200V 17 MOHM TO-247
Microchip Technology
32
现货
1 : ¥382.25000
散装
-
散装
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
113A(Tc)
20V
22 毫欧 @ 40A,20V
2.7V @ 4.5mA(典型值)
249 nC @ 20 V
+22V,-10V
5280 pF @ 1000 V
-
455W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
显示
/ 26

单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。