单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
onsemiVishay Siliconix
系列
-TrenchFET® Gen IVTrenchFET® Gen V
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V60 V80 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
5.2A（Ta），14.2A（Tc）20A（Ta）23A（Ta），79.4A（Tc）34.2A（Ta）， 153A（Tc）52A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4V，5V4.5V，10V6V，10V7.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.9 毫欧 @ 20A，10V4.5 毫欧 @ 15A，10V18 毫欧 @ 3.5A，10V27 毫欧 @ 10A，5V54 毫欧 @ 4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 250µA2.5V @ 250µA3.6V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
13 nC @ 10 V18.9 nC @ 10 V37 nC @ 10 V60 nC @ 10 V108 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
550 pF @ 50 V1260 pF @ 25 V1710 pF @ 30 V3020 pF @ 40 V4586 pF @ 30 V
功率耗散（最大值）
1.75W（Ta），74W（Tc）3.2W（Ta），24W（Tc）5W（Ta），57W（Tc）7.5W（Ta），150W（Tc）83W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
DPAKPowerPAK® 1212-8PowerPAK® SO-8PowerPAK® SO-8DC
封装/外壳
PowerPAK® 1212-8PowerPAK® SO-8TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
显示
/ 5
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PowerPAK 1212-8
SIS110DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 5.2A/14.2A PPAK
Vishay Siliconix
16,846
现货
1 : ¥5.25000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.99454
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
5.2A（Ta），14.2A（Tc）
7.5V，10V
54 毫欧 @ 4A，10V
4V @ 250µA
13 nC @ 10 V
±20V
550 pF @ 50 V
-
3.2W（Ta），24W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK-SO-8-Single
SQJ459EP-T2_BE3
P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Vishay Siliconix
4,160
现货
1 : ¥10.10000
剪切带（CT）
3,000 : ¥4.18331
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
52A（Tc）
4.5V，10V
18 毫欧 @ 3.5A，10V
2.5V @ 250µA
108 nC @ 10 V
±20V
4586 pF @ 30 V
-
83W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
DPAK_369C
NTD20N03L27T4G
MOSFET N-CH 30V 20A DPAK
onsemi
3,980
现货
1 : ¥15.68000
剪切带（CT）
2,500 : ¥4.38496
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
20A（Ta）
4V，5V
27 毫欧 @ 10A，5V
2V @ 250µA
18.9 nC @ 10 V
±20V
1260 pF @ 25 V
-
1.75W（Ta），74W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
DPAK
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
PowerPAK SO-8DC
SIDR5802EP-T1-RE3
N-CHANNEL 80 V (D-S) 175C MOSFET
Vishay Siliconix
2,328
现货
1 : ¥22.66000
剪切带（CT）
3,000 : ¥10.23421
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
34.2A（Ta）， 153A（Tc）
7.5V，10V
2.9 毫欧 @ 20A，10V
4V @ 250µA
60 nC @ 10 V
±20V
3020 pF @ 40 V
-
7.5W（Ta），150W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® SO-8DC
PowerPAK® SO-8
PowerPak SO-8L
SIJ186DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 23A/79.4A PPAK
Vishay Siliconix
11,023
现货
1 : ¥9.03000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.73508
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
23A（Ta），79.4A（Tc）
6V，10V
4.5 毫欧 @ 15A，10V
3.6V @ 250µA
37 nC @ 10 V
±20V
1710 pF @ 30 V
-
5W（Ta），57W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
显示
/ 5

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。