单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Infineon Technologiesonsemi
系列
HEXFET®UltraFET™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
55 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
14A（Tc）20A（Tc）23A（Tc）42A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
26 毫欧 @ 20A，10V36 毫欧 @ 23A，10V117 毫欧 @ 11A，10V200 毫欧 @ 8.4A，10V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
58 nC @ 10 V65 nC @ 20 V97 nC @ 10 V110 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
760 pF @ 25 V1060 pF @ 25 V1300 pF @ 25 V1900 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
79W（Tc）128W（Tc）140W（Tc）160W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
TO-220ABTO-247ACTO-252AA
封装/外壳
TO-220-3TO-247-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-220AB PKG
IRF9530NPBF
MOSFET P-CH 100V 14A TO220AB
Infineon Technologies
31,523
现货
1 : ¥7.64000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
14A（Tc）
10V
200 毫欧 @ 8.4A，10V
4V @ 250µA
58 nC @ 10 V
±20V
760 pF @ 25 V
-
79W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
IRF9540NPBF
IRF9540NPBF
MOSFET P-CH 100V 23A TO220AB
Infineon Technologies
2,478
现货
1 : ¥11.41000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
23A（Tc）
10V
117 毫欧 @ 11A，10V
4V @ 250µA
97 nC @ 10 V
±20V
1300 pF @ 25 V
-
140W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-247-3 AC EP
IRFP150NPBF
MOSFET N-CH 100V 42A TO247AC
Infineon Technologies
1,592
现货
1 : ¥20.11000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
42A（Tc）
10V
36 毫欧 @ 23A，10V
4V @ 250µA
110 nC @ 10 V
±20V
1900 pF @ 25 V
-
160W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-247AC
TO-247-3
TO-252AA
HUF75329D3ST
MOSFET N-CH 55V 20A TO252AA
onsemi
2,483
现货
1 : ¥8.87000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.65812
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
55 V
20A（Tc）
10V
26 毫欧 @ 20A，10V
4V @ 250µA
65 nC @ 20 V
±20V
1060 pF @ 25 V
-
128W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
显示
/ 4

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。