单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesMicro Commercial Co
系列
-CoolMOS™ G7OptiMOS™ 5OptiMOS™ 6
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
60 V100 V600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.6A（Ta）3A（Ta）23A（Ta）， 192A（Tc）31A（Ta），279A（Tc）47A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V6V，10V8V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.9 毫欧 @ 100A，10V2.7 毫欧 @ 50A，10V50 毫欧 @ 15.9A，10V125 毫欧 @ 3A，4.5V140 毫欧 @ 1.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 250µA3V @ 250µA3.3V @ 116µA3.8V @ 210µA4V @ 800µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
6 nC @ 4.5 V8.6 nC @ 10 V68 nC @ 10 V72.5 nC @ 10 V160 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
247 pF @ 30 V315 pF @ 40 V2670 pF @ 400 V5500 pF @ 50 V12000 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
350mW（Ta）700mW（Ta）3W（Ta）， 217W（Tc）3.8W（Ta），300W（Tc）278W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
PG-HDSOP-10-1PG-HDSOP-16-2PG-TDSON-8 FLSOT-23SOT-23-3
封装/外壳
8-PowerTDFN10-PowerSOP 模块16-PowerSOP 模块TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
DMN6140L-13
MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT23
Diodes Incorporated
196,821
现货
1 : ¥3.12000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.46858
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
1.6A（Ta）
4.5V，10V
140 毫欧 @ 1.8A，10V
3V @ 250µA
8.6 nC @ 10 V
±20V
315 pF @ 40 V
-
700mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
9,422
现货
1 : ¥29.23000
剪切带（CT）
5,000 : ¥13.63340
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
23A（Ta）， 192A（Tc）
8V，10V
2.7 毫欧 @ 50A，10V
3.3V @ 116µA
72.5 nC @ 10 V
±20V
5500 pF @ 50 V
-
3W（Ta）， 217W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TDSON-8 FL
8-PowerTDFN
SOT 23
SI2310-TP
MOSFET N-CH 60V 3A SOT23
Micro Commercial Co
67,951
现货
1 : ¥3.12000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.83986
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
3A（Ta）
10V
125 毫欧 @ 3A，4.5V
2V @ 250µA
6 nC @ 4.5 V
±20V
247 pF @ 30 V
-
350mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
IAUS300N08S5N012TATMA1
IPTC019N10NM5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 31A/279A HDSOP
Infineon Technologies
4,599
现货
1 : ¥50.74000
剪切带（CT）
1,800 : ¥26.23685
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
31A（Ta），279A（Tc）
6V，10V
1.9 毫欧 @ 100A，10V
3.8V @ 210µA
160 nC @ 10 V
±20V
12000 pF @ 50 V
-
3.8W（Ta），300W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-HDSOP-16-2
16-PowerSOP 模块
P/PG-HDSOP-10-1
IPDD60R050G7XTMA1
MOSFET N-CH 600V 47A HDSOP-10
Infineon Technologies
3,235
现货
1 : ¥72.82000
剪切带（CT）
1,700 : ¥41.30725
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
47A（Tc）
10V
50 毫欧 @ 15.9A，10V
4V @ 800µA
68 nC @ 10 V
±20V
2670 pF @ 400 V
-
278W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-HDSOP-10-1
10-PowerSOP 模块
显示
/ 5

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。