单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
Infineon TechnologiesonsemiVishay Siliconix
系列
-OptiMOS™TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V25 V30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
450mA（Ta）3.1A（Tc）7.9A（Ta）12A（Ta），40A（Tc）25A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4.5V4.5V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4.3 毫欧 @ 10A，10V6 毫欧 @ 20A，10V9mOhm @ 10A，4.5V112 毫欧 @ 2.8A，4.5V760 毫欧 @ 400mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA1.5V @ 250µA2V @ 250µA2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
2.5 nC @ 4.5 V9.1 nC @ 10 V10 nC @ 4.5 V26.7 nC @ 4.5 V45 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V+20V，-16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
45 pF @ 10 V405 pF @ 10 V670 pF @ 12 V2070 pF @ 15 V2790 pF @ 10 V
功率耗散（最大值）
190mW（Ta）860mW（Ta）860mW（Ta），1.6W（Tc）2.1W（Ta），26W（Tc）3.5W（Ta），28W（Tc）
供应商器件封装
6-PQFN（2x2）PG-TSDSON-8-FLPowerPAK® 1212-8SC-89-3SOT-23-3（TO-236）
封装/外壳
6-PowerWDFN8-PowerTDFNPowerPAK® 1212-8SC-89，SOT-490TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
SI2301CDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
Vishay Siliconix
160,373
现货
1 : ¥3.04000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.82533
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
3.1A（Tc）
2.5V，4.5V
112 毫欧 @ 2.8A，4.5V
1V @ 250µA
10 nC @ 4.5 V
±8V
405 pF @ 10 V
-
860mW（Ta），1.6W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
PowerPAK 1212-8
SISA12ADN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 25A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
19,543
现货
1 : ¥6.81000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.59950
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
25A（Tc）
4.5V，10V
4.3 毫欧 @ 10A，10V
2.2V @ 250µA
45 nC @ 10 V
+20V，-16V
2070 pF @ 15 V
-
3.5W（Ta），28W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
SC-89-3_463C
SI1013CX-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 450MA SC89-3
Vishay Siliconix
63,756
现货
1 : ¥3.86000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.68992
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
450mA（Ta）
4.5V
760 毫欧 @ 400mA，4.5V
1V @ 250µA
2.5 nC @ 4.5 V
±8V
45 pF @ 10 V
-
190mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SC-89-3
SC-89，SOT-490
TSDSON-8
BSZ060NE2LSATMA1
MOSFET N-CH 25V 12A/40A TSDSON
Infineon Technologies
50,977
现货
1 : ¥4.43000
剪切带（CT）
5,000 : ¥2.06887
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
25 V
12A（Ta），40A（Tc）
4.5V，10V
6 毫欧 @ 20A，10V
2V @ 250µA
9.1 nC @ 10 V
±20V
670 pF @ 12 V
-
2.1W（Ta），26W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TSDSON-8-FL
8-PowerTDFN
6-UFDFN Exposed Pad
NTLJS7D2P02P8ZTAG
MOSFET P-CH 20V 7.9A 6PQFN
onsemi
24,467
现货
9,000
工厂
1 : ¥6.81000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.56556
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
7.9A（Ta）
2.5V，4.5V
9mOhm @ 10A，4.5V
1.5V @ 250µA
26.7 nC @ 4.5 V
±8V
2790 pF @ 10 V
-
860mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
6-PQFN（2x2）
6-PowerWDFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。