单齐纳二极管

结果 : 2
制造商
onsemiRohm Semiconductor
系列
-KDZ
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
电压 - 齐纳（标称值）(Vz)
10.3 V24 V
容差
±5%±6%
功率 - 最大值
1 W3 W
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
1 µA @ 18.2 V10 µA @ 7 V
工作温度
-65°C ~ 150°C-55°C ~ 150°C
封装/外壳
DO-214AA，SMBSOD-123F
供应商器件封装
PMDUSMB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
电压 - 齐纳（标称值）(Vz)
容差
功率 - 最大值
阻抗（最大值）(Zzt)
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
工作温度
等级
资质
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
DO-214AA, SMB
SZ1SMB5934BT3G
DIODE ZENER 24V 3W SMB
onsemi
1,694
现货
830,000
工厂
1 : ¥6.49000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.46600
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
24 V
±5%
3 W
19 Ohms
1 µA @ 18.2 V
1.5 V @ 200 mA
-65°C ~ 150°C
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
DO-214AA，SMB
SMB
RB160MM-30TFTR
KDZTR10B
DIODE ZENER 10.3V 1W PMDU
Rohm Semiconductor
3,000
现货
1 : ¥4.19000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.18016
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
10.3 V
±6%
1 W
-
10 µA @ 7 V
-
-55°C ~ 150°C
-
-
表面贴装型
SOD-123F
PMDU
显示
/ 2

单齐纳二极管

齐纳二极管可用于以反向击穿模式工作，并根据以这种方式使用时的行为来分类。这些器件可用作电压基准或限压用途，还可以用作类似于整流二极管的单向电流阀，但它们在这种模式下的性能通常不如专用器件理想。该系列产品的每个器件封装恰好实现该功能的一个实例。