单齐纳二极管

结果 : 2
电压 - 齐纳(标称值)(Vz)
4.7 V12 V
容差
±5.42%±6.38%
阻抗(最大值)(Zzt)
25 Ohms80 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
100 nA @ 8 V3 µA @ 2 V
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环境选项
媒体
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2结果

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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
电压 - 齐纳(标称值)(Vz)
容差
功率 - 最大值
阻抗(最大值)(Zzt)
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
工作温度
等级
资质
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
SOD 123
BZT52C4V7Q-7-F
ZENER DIODE SOD123 T&R 3K
Diodes Incorporated
3,000
现货
681,000
工厂
3,000 : ¥0.29695
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
4.7 V
±6.38%
370 mW
80 Ohms
3 µA @ 2 V
900 mV @ 10 mA
-65°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOD-123
SOD-123
SOD 123
BZT52C12Q-7-F
ZENER DIODE SOD123 T&R 3K
Diodes Incorporated
3,000
现货
549,000
工厂
3,000 : ¥0.29695
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
12 V
±5.42%
370 mW
25 Ohms
100 nA @ 8 V
900 mV @ 10 mA
-65°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOD-123
SOD-123
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单齐纳二极管


齐纳二极管可用于以反向击穿模式工作,并根据以这种方式使用时的行为来分类。这些器件可用作电压基准或限压用途,还可以用作类似于整流二极管的单向电流阀,但它们在这种模式下的性能通常不如专用器件理想。该系列产品的每个器件封装恰好实现该功能的一个实例。