单双极晶体管

结果 : 14
制造商
onsemiSanken Electric USA Inc.Toshiba Semiconductor and Storage
包装
剪切带(CT)带盒(TB)托盘散装管件
产品状态
最后售卖在售
晶体管类型
NPNPNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
100 mA150 mA1 A1.5 A2 A6 A8 A15 A
电压 - 集射极击穿(最大值)
50 V80 V150 V160 V180 V200 V230 V250 V300 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)
300mV @ 10mA,100mA500mV @ 100mA,1A500mV @ 200mA,2A500mV @ 50mA,500mA600mV @ 2mA,20mA1V @ 70mA,700mA1.5V @ 50mA,500mA2V @ 500mA,5A3V @ 800mA,8A
电流 - 集电极截止(最大值)
100nA(ICBO)200nA(ICBO)5µA(ICBO)10µA(ICBO)100µA(ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
10 @ 2A,5V40 @ 10mA,10V50 @ 2A,4V50 @ 5A,4V60 @ 700mA,10V80 @ 1A,5V100 @ 100mA,5V100 @ 500mA,2V120 @ 2mA,6V140 @ 100mA,5V
功率 - 最大值
400 mW1.5 W7 W10 W25 W30 W50 W130 W150 W
频率 - 跃迁
15MHz20MHz30MHz50MHz70MHz80MHz100MHz150MHz
工作温度
-65°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 150°C(TJ)150°C(TJ)
封装/外壳
TO-220-3TO-220-3 整包TO-225AA,TO-126-3TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引线TO-3P-3,SC-65-3TO-3PL
供应商器件封装
TO-126-3TO-126NTO-220TO-220FTO-3PTO-3P(L)TO-92-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
14结果

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/ 14
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
晶体管类型
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
电压 - 集射极击穿(最大值)
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)
电流 - 集电极截止(最大值)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
功率 - 最大值
频率 - 跃迁
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
TO-220-3
MJE15033G
TRANS PNP 250V 8A TO220
onsemi
3,072
现货
48,700
工厂
1 : ¥12.73000
管件
-
管件
在售
PNP
8 A
250 V
500mV @ 100mA,1A
10µA(ICBO)
10 @ 2A,5V
50 W
30MHz
-65°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-220-3
TO-220
2SC5287
2SC3519A
TRANS NPN 180V 15A TO3P
Sanken Electric USA Inc.
1,186
现货
1 : ¥36.94000
散装
-
散装
在售
NPN
15 A
180 V
2V @ 500mA,5A
100µA(ICBO)
50 @ 5A,4V
130 W
50MHz
150°C(TJ)
通孔
TO-3P-3,SC-65-3
TO-3P
TO-92-3 Formed Leads
KSA1015YTA
TRANS PNP 50V 0.15A TO92-3
onsemi
2,749
现货
4,000
工厂
1 : ¥3.20000
剪切带(CT)
2,000 : ¥0.70206
带盒(TB)
-
剪切带(CT)
带盒(TB)
在售
PNP
150 mA
50 V
300mV @ 10mA,100mA
100nA(ICBO)
120 @ 2mA,6V
400 mW
80MHz
150°C(TJ)
通孔
TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引线
TO-92-3
1,886
现货
1 : ¥5.75000
散装
-
散装
在售
PNP
1.5 A
160 V
500mV @ 50mA,500mA
100nA(ICBO)
140 @ 100mA,5V
10 W
100MHz
150°C(TJ)
通孔
TO-225AA,TO-126-3
TO-126N
3,768
现货
1 : ¥6.40000
散装
-
散装
在售
NPN
1.5 A
160 V
500mV @ 50mA,500mA
100nA(ICBO)
140 @ 100mA,5V
10 W
100MHz
150°C(TJ)
通孔
TO-225AA,TO-126-3
TO-126N
TO-220-3 Full Pack
2SA1667
TRANS PNP 150V 2A TO220F
Sanken Electric USA Inc.
495
现货
1 : ¥15.19000
散装
-
散装
在售
PNP
2 A
150 V
1V @ 70mA,700mA
10µA(ICBO)
60 @ 700mA,10V
25 W
20MHz
150°C(TJ)
通孔
TO-220-3 整包
TO-220F
348
现货
1 : ¥27.67000
散装
-
散装
在售
PNP
15 A
230 V
3V @ 800mA,8A
5µA(ICBO)
80 @ 1A,5V
150 W
30MHz
150°C(TJ)
通孔
TO-3PL
TO-3P(L)
TO-126
KSC3503DSTU
TRANS NPN 300V 0.1A TO126-3
onsemi
10,273
现货
1 : ¥7.88000
管件
-
管件
最后售卖
NPN
100 mA
300 V
600mV @ 2mA,20mA
100nA(ICBO)
40 @ 10mA,10V
7 W
150MHz
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-225AA,TO-126-3
TO-126-3
TTA004B,Q
TTA008B,Q
PB-F POWER TRANSISTOR TO-126 PC=
Toshiba Semiconductor and Storage
191
现货
1 : ¥7.39000
托盘
-
托盘
在售
PNP
2 A
80 V
500mV @ 100mA,1A
100nA(ICBO)
100 @ 500mA,2V
1.5 W
100MHz
150°C(TJ)
通孔
TO-225AA,TO-126-3
TO-126N
TTA004B,Q
TTC011B,Q
PB-FPOWERTRANSISTORTO-126NPC=10W
Toshiba Semiconductor and Storage
472
现货
1 : ¥7.96000
托盘
-
托盘
在售
NPN
1 A
230 V
1.5V @ 50mA,500mA
200nA(ICBO)
100 @ 100mA,5V
1.5 W
100MHz
150°C(TJ)
通孔
TO-225AA,TO-126-3
TO-126N
TTA004B,Q
TTA006B,Q
PB-F POWER TRANSISTOR TO-126N PC
Toshiba Semiconductor and Storage
409
现货
1 : ¥7.96000
托盘
-
托盘
在售
PNP
1 A
230 V
1.5V @ 50mA,500mA
200nA(ICBO)
100 @ 100mA,5V
1.5 W
70MHz
150°C(TJ)
通孔
TO-225AA,TO-126-3
TO-126N
TO-220-3 Full Pack
2SC4381
TRANS NPN 150V 2A TO220F
Sanken Electric USA Inc.
0
现货
查看交期
1,000 : ¥6.73302
散装
-
散装
在售
NPN
2 A
150 V
1V @ 70mA,700mA
10µA(ICBO)
60 @ 700mA,10V
25 W
15MHz
150°C(TJ)
通孔
TO-220-3 整包
TO-220F
TO-220-3 Full Pack
2SC4382
TRANS NPN 200V 2A TO220F
Sanken Electric USA Inc.
0
现货
查看交期
1,000 : ¥6.73302
散装
-
散装
在售
NPN
2 A
200 V
1V @ 70mA,700mA
10µA(ICBO)
60 @ 700mA,10V
25 W
15MHz
150°C(TJ)
通孔
TO-220-3 整包
TO-220F
TO-220-3 Full Pack
2SA1725
TRANS PNP 80V 6A TO220F
Sanken Electric USA Inc.
0
现货
查看交期
1,000 : ¥7.77780
散装
-
散装
在售
PNP
6 A
80 V
500mV @ 200mA,2A
10µA(ICBO)
50 @ 2A,4V
30 W
20MHz
150°C(TJ)
通孔
TO-220-3 整包
TO-220F
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单双极晶体管


分立式双极性结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。按照构成晶体管的半导体层顺序的不同,BJT 分为 NPN 和 PNP 两种类型。NPN 晶体管在两层 N 型材料之间夹着一层薄的 P 型半导体,而 PNP 晶体管则是在两层 P 型半导体之间夹着一层 N 型半导体。这使得这两种晶体管的操作极性完全相反。NPN 晶体管吸收电流,而 PNP 晶体管输出电流。