单双极晶体管

结果 : 2
晶体管类型
NPNNPN - 达林顿
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
150 mA300 mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
25 V300 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)
1V @ 3mA,30mA1.4V @ 200µA,200mA
电流 - 集电极截止(最大值)
50nA(ICBO)100nA(ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
35 @ 30mA,25V7000 @ 2mA,5V
功率 - 最大值
625 mW1 W
频率 - 跃迁
60MHz160MHz
工作温度
-65°C ~ 150°C(TJ)-65°C ~ 200°C(TJ)
封装/外壳
TO-205AD,TO-39-3 金属罐TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)
供应商器件封装
TO-39TO-92-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果

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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
晶体管类型
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
电压 - 集射极击穿(最大值)
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)
电流 - 集电极截止(最大值)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
功率 - 最大值
频率 - 跃迁
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
353
现货
1 : ¥54.27000
散装
-
散装
在售
NPN
150 mA
300 V
1V @ 3mA,30mA
50nA(ICBO)
35 @ 30mA,25V
1 W
160MHz
-65°C ~ 200°C(TJ)
通孔
TO-205AD,TO-39-3 金属罐
TO-39
TO-92
2N5306 TIN/LEAD
TRANS NPN DARL 25V 0.3A TO92-3
Central Semiconductor Corp
3,552
现货
1 : ¥6.08000
散装
-
散装
在售
NPN - 达林顿
300 mA
25 V
1.4V @ 200µA,200mA
100nA(ICBO)
7000 @ 2mA,5V
625 mW
60MHz
-65°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)
TO-92-3
显示
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单双极晶体管


分立式双极性结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。按照构成晶体管的半导体层顺序的不同,BJT 分为 NPN 和 PNP 两种类型。NPN 晶体管在两层 N 型材料之间夹着一层薄的 P 型半导体,而 PNP 晶体管则是在两层 P 型半导体之间夹着一层 N 型半导体。这使得这两种晶体管的操作极性完全相反。NPN 晶体管吸收电流,而 PNP 晶体管输出电流。