单双极晶体管

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制造商零件编号	现有数量	价格	系列	包装	产品状态	晶体管类型	电流 - 集电极 (Ic)（最大值）	电压 - 集射极击穿（最大值）	不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）	电流 - 集电极截止（最大值）	不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）	功率 - 最大值	频率 - 跃迁	工作温度	安装类型	封装/外壳	供应商器件封装

2STR2160 TRANS PNP 60V 1A SOT23-3 STMicroelectronics	13,306 现货	1 : ¥3.94000 剪切带（CT） 3,000 : ¥1.33190 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	PNP	1 A	60 V	480mV @ 100mA，1A	100nA（ICBO）	180 @ 500mA，2V	500 mW	-	150°C（TJ）	表面贴装型	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SOT-23-3
BD681G TRANS NPN DARL 100V 4A TO126 onsemi	1,209 现货	1 : ¥7.14000 散装	-	散装	在售	NPN - 达林顿	4 A	100 V	2.5V @ 30mA，1.5A	500µA	750 @ 1.5A，3V	40 W	-	-55°C ~ 150°C（TJ）	通孔	TO-225AA，TO-126-3	TO-126
STP03D200 TRANS NPN DARL 1200V 0.1A TO220 STMicroelectronics	566 现货	1 : ¥73.64000 管件	-	管件	在售	NPN - 达林顿	100 mA	1200 V	2V @ 500µA，50mA	100µA	200 @ 30mA，10V	40 W	-	150°C（TJ）	通孔	TO-220-3	TO-220

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单双极晶体管

分立式双极性结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。按照构成晶体管的半导体层顺序的不同，BJT 分为 NPN 和 PNP 两种类型。NPN 晶体管在两层 N 型材料之间夹着一层薄的 P 型半导体，而 PNP 晶体管则是在两层 P 型半导体之间夹着一层 N 型半导体。这使得这两种晶体管的操作极性完全相反。NPN 晶体管吸收电流，而 PNP 晶体管输出电流。