单双极晶体管

结果 : 6
制造商
Diodes IncorporatedonsemiSTMicroelectronics
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
产品状态
停产在售
晶体管类型
NPNNPN - 达林顿
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
2 A3 A4 A8 A
电压 - 集射极击穿（最大值）
60 V80 V350 V400 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）
400mV @ 150mA，3A1.13V @ 20mA，2A1.5V @ 20mA，2A1.5V @ 500mA，2.5A2V @ 20mA，2A3V @ 400mA，8A
电流 - 集电极截止（最大值）
100nA（ICBO）10µA50µA100µA-
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
8 @ 2A，5V200 @ 100mA，2V200 @ 4A，5V1800 @ 2A，2V2000 @ 2A，2V5000 @ 500mA，5V
功率 - 最大值
2 W15 W30 W45 W100 W
频率 - 跃迁
90MHz150MHz-
工作温度
-65°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
封装/外壳
TO-220-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63TO-261-4，TO-261AATO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
供应商器件封装
D2PAKDPAKSOT-223-3TO-220TO-252AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
6结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
晶体管类型
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
电压 - 集射极击穿（最大值）
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）
电流 - 集电极截止（最大值）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
功率 - 最大值
频率 - 跃迁
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
SOT-223-3
FZT603TA
TRANS NPN DARL 80V 2A SOT223-3
Diodes Incorporated
29,982
现货
47,000
工厂
1 : ¥5.58000
剪切带（CT）
1,000 : ¥2.38807
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
NPN - 达林顿
2 A
80 V
1.13V @ 20mA，2A
10µA
5000 @ 500mA，5V
2 W
150MHz
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-261-4，TO-261AA
SOT-223-3
D2PAK
MJB5742T4G
TRANS NPN DARL 400V 8A D2PAK
onsemi
690
现货
16,000
工厂
1 : ¥23.32000
剪切带（CT）
800 : ¥14.08566
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
NPN - 达林顿
8 A
400 V
3V @ 400mA，8A
-
200 @ 4A，5V
100 W
-
-65°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
D2PAK
DPAK_369C
NJVNJD35N04T4G
TRANS NPN DARL 350V 4A DPAK
onsemi
2,000
现货
35,000
工厂
1 : ¥8.05000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.32990
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
NPN - 达林顿
4 A
350 V
1.5V @ 20mA，2A
50µA
2000 @ 2A，2V
45 W
90MHz
-65°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
DPAK
MFG_DPAK(TO252-3)
STD1802T4-A
TRANS NPN 60V 3A DPAK
STMicroelectronics
409
现货
1 : ¥10.92000
剪切带（CT）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
停产
NPN
3 A
60 V
400mV @ 150mA，3A
100nA（ICBO）
200 @ 100mA，2V
15 W
150MHz
150°C（TJ）
表面贴装型
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
DPAK
TO-252AA
FJD5304DTF
TRANS NPN 400V 4A TO252AA
onsemi
437
现货
1 : ¥5.34000
剪切带（CT）
2,000 : ¥2.03825
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
NPN
4 A
400 V
1.5V @ 500mA，2.5A
100µA
8 @ 2A，5V
30 W
-
150°C（TJ）
表面贴装型
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-252AA
TO-220-3
ST901T
TRANS NPN DARL 350V 4A TO220
STMicroelectronics
953
现货
1 : ¥7.55000
管件
-
管件
在售
NPN - 达林顿
4 A
350 V
2V @ 20mA，2A
100µA
1800 @ 2A，2V
100 W
-
150°C（TJ）
通孔
TO-220-3
TO-220
显示
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单双极晶体管

分立式双极性结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。按照构成晶体管的半导体层顺序的不同，BJT 分为 NPN 和 PNP 两种类型。NPN 晶体管在两层 N 型材料之间夹着一层薄的 P 型半导体，而 PNP 晶体管则是在两层 P 型半导体之间夹着一层 N 型半导体。这使得这两种晶体管的操作极性完全相反。NPN 晶体管吸收电流，而 PNP 晶体管输出电流。