单双极晶体管

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制造商零件编号	现有数量	价格	系列	包装	产品状态	晶体管类型	电流 - 集电极 (Ic)（最大值）	电压 - 集射极击穿（最大值）	不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）	电流 - 集电极截止（最大值）	不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）	功率 - 最大值	频率 - 跃迁	工作温度	等级	资质	安装类型	封装/外壳	供应商器件封装

2N2222AUB TRANS NPN 50V 0.8A 3SMD Microchip Technology	4,397 现货	1 : ¥47.37000 散装	2N2222	散装	在售	NPN	800 mA	50 V	1V @ 50mA，500mA	50nA	100 @ 150mA，10V	500 mW	-	-65°C ~ 200°C（TJ）	-	-	表面贴装型	3-SMD，无引线	UB
2N2907AUB TRANS PNP 60V 0.6A UB Microchip Technology	1,732 现货	1 : ¥51.15000 散装	-	散装	在售	PNP	600 mA	60 V	1.6V @ 50mA，500mA	50nA	100 @ 150mA，10V	500 mW	-	-65°C ~ 200°C（TJ）	-	-	表面贴装型	3-SMD，无引线	UB
2N2907AUB TRANS PNP 60V 0.6A SMD TT Electronics/Optek Technology	327 现货	1 : ¥204.83000 散装	-	散装	在售	PNP	600 mA	60 V	1.6V @ 50mA，500mA	50nA	100 @ 1mA，10V	300 mW	-	-65°C ~ 200°C（TJ）	-	-	表面贴装型	3-LCC	陶瓷 SMD
2N2222A TRANS NPN 50V 0.8A TO18 Microchip Technology	0 现货查看交期	1 : ¥23.81000 散装	-	散装	在售	NPN	800 mA	50 V	1V @ 50mA，500mA	50nA	100 @ 150mA，10V	500 mW	-	-65°C ~ 200°C（TJ）	-	-	通孔	TO-206AA，TO-18-3 金属罐	TO-18
JANTXV2N2222AUB TRANS NPN 50V 0.8A UB Microchip Technology	0 现货查看交期	1 : ¥58.29000 散装	-	散装	在售	NPN	800 mA	50 V	1V @ 50mA，500mA	50nA	100 @ 150mA，10V	500 mW	-	-65°C ~ 200°C（TJ）	军用	MIL-PRF-19500/255	表面贴装型	3-SMD，无引线	UB
2N3700UB TRANS NPN 80V 1A UB Microchip Technology	0 现货查看交期	1 : ¥82.75000 散装	-	散装	在售	NPN	1 A	80 V	500mV @ 50mA，500mA	10nA	50 @ 500mA，10V	500 mW	-	-65°C ~ 200°C（TJ）	-	-	表面贴装型	3-SMD，无引线	UB
2N2222AUB1 RAD-HARD 50 V, 0.8 A NPN TRANSIS STMicroelectronics	0 现货查看交期	1 : ¥775.01000 托盘	-	托盘	在售	NPN	800 mA	50 V	300mV @ 15mA，150mA	10nA（ICBO）	100 @ 150mA，10V	500 mW	-	200°C（TJ）	-	-	表面贴装型	3-SMD，无引线	UB

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分立式双极性结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。按照构成晶体管的半导体层顺序的不同，BJT 分为 NPN 和 PNP 两种类型。NPN 晶体管在两层 N 型材料之间夹着一层薄的 P 型半导体，而 PNP 晶体管则是在两层 P 型半导体之间夹着一层 N 型半导体。这使得这两种晶体管的操作极性完全相反。NPN 晶体管吸收电流，而 PNP 晶体管输出电流。

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